公开(公告)号：CN1043408A

公开(公告)日：1990-06-27

申请号：CN89108268.9

申请日：1989-10-28

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 凯利帕特纳姆·维维克·罗 ,  吉姆斯·L·佩塔森

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/788 ,  H01L21/82

Abstract: 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面，本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶，然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。

公开(公告)号：CN1030593C

公开(公告)日：1995-12-27

申请号：CN89108268.9

申请日：1987-03-31

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 凯利帕特纳姆·维维克·罗 ,  吉姆斯·L·佩塔森

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/788 ,  H01L21/82

Abstract: 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面，本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶，然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。

公开(公告)号：CN87102505A

公开(公告)日：1987-12-30

申请号：CN87102505

申请日：1987-03-31

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 凯利帕特纳姆·维维克·罗

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/02 ,  H01L29/92 ,  G11C11/24

Abstract: 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。