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公开(公告)号：CN103268852B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310157821.1
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：将衬底表面清洗干净；步骤3：在较低的生长温度下，在衬底表面沉积半导体非晶薄膜；其中，通过控制原子的沉积速率比，得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜；步骤4：利用超快激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火，完成超饱和掺杂半导体薄膜的制备。本发明提出的上述制备方法中，应用分子束外延技术制备掺杂浓度均匀的超掺杂薄膜，所制备出的超饱和掺杂硅薄膜内杂质的深度分布很均匀。
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公开(公告)号：CN104910918A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510219791.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种核壳量子点结构及其制备方法，该方法包括下以下步骤：先制备一带隙宽度相对较宽的核材料CdS，然后包覆一层带隙宽度相对较窄的材料CdSe作为第一层壳层，在此基础上再包覆宽带隙材料CdZnSeS及ZnS作为第二层及第三层壳层。这种新材料相对于传统核壳结构材料有着荧光量子效率高、发光光谱连续可调等优点，无论是作为光致发光还是电致发光材料或是应用于生物领域都有着很好的前景。本发明还提供了一种核层材料合成的简易方法，其工艺简单易行，且重复性好。
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公开(公告)号：CN102938435B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210484770.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。
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公开(公告)号：CN104485403A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410854195.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/005 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明提出采用曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制造方法。其包括衬底和位于衬底上的量子点增益介质，以及波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线分别是多项式的一部分、双曲线的一部分、椭圆的一部分。本发明的弯曲损耗随着曲率半径的减小而增加，为了够减小损耗。而且，本发明在不改变弯曲部分长度和最终偏离角度的情况下能够增大输出功率，仍然可以保持相似的光谱输出。
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公开(公告)号：CN103938178A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410160279.X
申请日：2014-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明不需要使用外来催化剂，没有污染，也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102611003B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210105753.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。
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公开(公告)号：CN103326239A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193627.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，其包括：增益器件、透镜、光栅、平面镜，其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射，其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径行进：第一、波长为λ1的m(m为非零整数)级衍射光沿入射方向原路返回(衍射角等于入射角θ)至增益器件，使得在光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ1的激光模式；第二、波长为λ2的n(n为非零整数，n≠m)级衍射光(衍射角为φ)经平面镜反射、光栅第二次衍射，沿原路返回至增益器件，使得在平面镜、经由光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ2的激光模式。
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公开(公告)号：CN103137789A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310032256.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火后的衬底升温；步骤6：二次淀积生长InAs层；步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。本发明具有密度低、室温发光波长超过1.3μm的InAs/GaAs量子点。
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公开(公告)号：CN103117506A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310071764.5
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/08 , H01S3/0941
Abstract: 本发明公开了一种滤波式波长可调谐外腔激光器，其可在一定波长范围内任意控制激射波长，包括：宽带光源、准直透镜、第一双折射元件、第二双折射元件、第一半波片、第二半波片、干涉滤光片、会聚透镜和光纤，所述超辐射发光管包括宽带光源，其发出的光经准直透镜后准直，并依次通过第一双折射元件和第一半波片后打在干涉滤光片上，而透过所述干涉滤光片的光依次通过第二半波片和第二双折射元件后经会聚透镜聚焦耦合到所述光纤中；所述光纤尾端镀有反射膜，使得光按原路返回。本发明提供的滤波式波长可调谐外腔激光器成本低，结构紧凑，温度稳定性高并且操作简单，最终可实现在一定波段内的激射波长连续调谐。
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公开(公告)号：CN103091778A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310028764.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
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