公开(公告)号：CN104499054A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410785433.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  杜文娜 ,  杨晓光 ,  王小耶 ,  季祥海 ,  王占国

IPC: C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

Abstract: 一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。

公开(公告)号：CN103938178A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410160279.X

申请日：2014-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杜文娜 ,  杨晓光 ,  王小耶 ,  杨涛 ,  王占国

IPC: C23C16/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明不需要使用外来催化剂，没有污染，也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。

公开(公告)号：CN104499054B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410785433.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  杜文娜 ,  杨晓光 ,  王小耶 ,  季祥海 ,  王占国

IPC: C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

Abstract: 一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。

公开(公告)号：CN103794474A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410043865.6

申请日：2014-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  王小耶

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/0243

Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上生长纳米线的衬底处理方法，包括如下步骤：S1、将Si衬底进行退火；S2、将通过步骤S1退火后的衬底进行自然氧化；S3、将通过步骤S2自然氧化后的衬底进行腐蚀。本发明能改善在Si衬底上生长纳米线的形貌质量，包括提高纳米线的密度和均匀度，大幅减少寄生物的出现。