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公开(公告)号:CN103824920B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201410083290.0
申请日:2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂的折射率渐变层、n型掺杂的下包层、n型掺杂的下波导层、有源区、p型掺杂的上波导层、p型掺杂的上包层、p型掺杂的折射率渐变层和p型重掺杂接触层,形成外延片;在外延片上向下刻蚀,形成凸起漏斗型台面;在其上表面生长绝缘介质膜,刻蚀绝缘介质膜,在外延片上面制备p型电极;在其上横向刻蚀出两个电隔离区,使其被分割成三个功能区,完成制备。本发明可实现器件在实际应用中可以在保持输出光谱形状基本不变的条件下在一定范围内调节其输出功率大小。
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公开(公告)号:CN103326239B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201310193627.9
申请日:2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器,其包括:增益器件、透镜、光栅、平面镜,其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射,其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径行进:第一、波长为λ1的m(m为非零整数)级衍射光沿入射方向原路返回(衍射角等于入射角θ)至增益器件,使得在光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ1的激光模式;第二、波长为λ2的n(n为非零整数,n≠m)级衍射光(衍射角为φ)经平面镜反射、光栅第二次衍射,沿原路返回至增益器件,使得在平面镜、经由光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ2的激光模式。
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公开(公告)号:CN103824920A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201410083290.0
申请日:2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0045 , H01L33/20
Abstract: 一种输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂的折射率渐变层、n型掺杂的下包层、n型掺杂的下波导层、有源区、p型掺杂的上波导层、p型掺杂的上包层、p型掺杂的折射率渐变层和p型重掺杂接触层,形成外延片;在外延片上向下刻蚀,形成凸起漏斗型台面;在其上表面生长绝缘介质膜,刻蚀绝缘介质膜,在外延片上面制备p型电极;在其上横向刻蚀出两个电隔离区,使其被分割成三个功能区,完成制备。本发明可实现器件在实际应用中可以在保持输出光谱形状基本不变的条件下在一定范围内调节其输出功率大小。
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公开(公告)号:CN104805011A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510205773.8
申请日:2015-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片及利用其捕获循环肿瘤细胞的方法。该微流控芯片包括:分离腔室,其第一侧的中部位置具有样品注入口,第二侧的上部和下部分别具有待测粒子富集处和样品流出口;微柱阵列,形成于分离腔室内,样品注入口和样品流出口之间;外部磁场组件,用于在分离腔室内形成自下而上的磁场。其中,由样品注入口注入的样品中,表面连接磁珠的待测粒子受到磁场的作用力向上方运动,在待测粒子富集处富集或贴附在分离腔室的顶壁上;表面未连接磁珠的待测粒子由该微柱阵列进行拦截捕获;样品中除待测粒子之外的其他成分由于重力作用透过微柱阵列。本发明结合了两种捕获方法,实现了高捕获率、高通量、高纯度循环肿瘤细胞捕获。
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公开(公告)号:CN103326239A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310193627.9
申请日:2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器,其包括:增益器件、透镜、光栅、平面镜,其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射,其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径行进:第一、波长为λ1的m(m为非零整数)级衍射光沿入射方向原路返回(衍射角等于入射角θ)至增益器件,使得在光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ1的激光模式;第二、波长为λ2的n(n为非零整数,n≠m)级衍射光(衍射角为φ)经平面镜反射、光栅第二次衍射,沿原路返回至增益器件,使得在平面镜、经由光栅与增益器件另一侧端面之间形成波长为λ2的激光模式。
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