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公开(公告)号：CN212113686U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020348296.7
申请日：2020-03-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN212010950U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202021008548.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/40
Abstract: 本实用新型涉及通信领域，公开一种功率器件散热装置，包括：功率器件；用于给功率器件散热的散热器；连接组件，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接。上述功率器件散热装置中功率器件上不再开设螺纹孔，散热器通过连接组件与功率器件连接，具体地，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接，即连接组件将功率器件压紧在散热器上，从而避免了在功率器件上开设螺纹孔。因此，上述功率器件散热装置通过无螺纹孔的功率模块与散热器的固定结合结构，依靠特有的连接组件实现了功率器件的无螺纹孔安装，从而增大了功率器件的引线框架或者功率器件中封装基板的固焊区域，提升了功率器件的尺寸利用率。
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公开(公告)号：CN211629106U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020184286.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块，芯片叠层布局结构包括沿着竖直方向从上到下部分重叠设置的下桥芯片与上桥芯片，所述下桥芯片下表面的集电极与所述上桥芯片上表面的发射极互相连接。通过将上下桥芯片在竖直方向上进行三维的叠层布局，减小了上下桥芯片在功率模块中占用的二维平面上的面积，进而有效减小了整个模块的面积与体积；同时，上下桥芯片的叠层布局缩短了二者间的导电路径，提高了电性能。功率模块包括了上述芯片叠层布局结构，进而也具备其所具备的优点。
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公开(公告)号：CN211429641U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201922248723.4
申请日：2019-12-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种元器件和PCB线路板，所述元器件包括本体、至少一个引脚部和固定孔，所述本体上设置有至少一个引脚连接孔，所述引脚部设置在所述引脚连接孔内，并延伸出所述引脚连接孔外，所述固定孔设置在所述本体上，用于固定所述本体，其中，所述引脚部构造为顶针结构。本实用新型无需高温焊接，可以有效避免短路和接触不良，同时方便安装和更换。
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公开(公告)号：CN211428149U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020272517.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型涉及一种功率晶体管用的热沉结构，其包括具有凹槽的吸热构件及与吸热构件相连的散热构件，吸热构件通过其凹槽来容纳功率晶体管的塑封主体，并至少与塑封主体的两个表面进行面接触。该热沉结构提高了其对功率晶体管的散热效率，由此可以提高功率晶体管的运行稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211428140U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020186451.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种器件级封装模块以及一种设置有该器件级封装模块的电路板。在本实用新型中，器件级封装模块包括基板以及盖板，由盖板设置在基板上形成空腔框架，在空腔框架外设置密封层，由密封层形成了用于容纳邦定线的空腔，空腔为真空空腔。本实用新型由于设置有空腔，封装结构不会与邦定线接触，无论是在生产制造过程中，还是在使用过程中，封装结构都不会对邦定线产生冲击，其解决了现有技术中对于功率半导体模块的封装所存在的可能会造成邦定线冲断的问题。进一步地，空腔采用真空空腔结构，其能够避免空腔内存在水分以及有害气体情况的出现，能够提高对芯片等元件的保护。
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公开(公告)号：CN211350580U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020297245.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片及电子器件，芯片包括垂直互联的电子封装基板和导线框架，其中：电子封装基板与导线框架之间电连接；电子封装基板上安装有多个功率半导体芯片，每一个功率半导体芯片包括：栅极、第一发射极和第二发射极，且每一个功率半导体芯片与电子封装基板之间电连接；导线框架上安装有多个驱动控制芯片，每一个驱动控制芯片与导线框架之间电连接；每一个驱动控制芯片的驱动电极与对应的功率半导体芯片上的栅极之间通过金属引线连接。本申请公开的芯片，通过在芯片表面互联使用导线框架，替代了铝线，散热效果更好，可靠性及电流密度得到提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210926012U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922036724.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/16
Abstract: 本实用新型提供一种可调节电阻的功率模块，包括功率模块主体、可调电阻和栅极本体，栅极本体分别连接发射极引脚、集电极引脚和栅极引脚。其中，发射极引脚和集电极引脚分别与功率模块主体连接。栅极引脚和栅极本体通过可调电阻连接。本实用新型提供的可调节电阻的功率模块，能够极其方便地根据实际需要来调整栅极电阻，使得功率模块的栅极电阻与开启阈值电压和开通关断延迟时间很好地匹配。
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公开(公告)号：CN210640256U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921741802.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓功率器件；包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本实用新型的氮化镓功率器件采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210638191U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921166623.0
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本实用新型提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中，功率器件的散热装置包括：固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件，所述控制板与所述固定件连接；通过调整所述固定件与所述控制板的距离，调整所述控制板与所述散热组件之间的距离，以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本实用新型通过设置的固定件连接控制板，固定件对控制板首先有一个加固的作用，另外固定件与控制板之间的距离可调节，从而调节控制板与所述散热组件之间的距离，保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触，提升功率器件的散热性能，保证功率装置的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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