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公开(公告)号：CN116380339B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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公开(公告)号：CN115355977A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211238592.1
申请日：2022-10-11
Applicant: 季华实验室
IPC: G01H9/00
Abstract: 本公开涉及一种振动检测装置、设备及振动检测方法，振动检测装置包括：单模光纤组件、悬臂梁组件和处理组件；单模光纤组件与悬臂梁组件之间留有间隙，单模光纤组件与悬臂梁组件形成法布里‑珀罗干涉腔；单模光纤组件用于向悬臂梁组件发射光信号，并接收反射面反射的反射信号；悬臂梁组件用于感应振动信号并产生共振，悬臂梁组件产生共振时，反射信号发生变化；处理组件连接单模光纤组件，处理组件用于基于接收到的干涉信号确定法布里‑珀罗干涉腔的腔长变化量，并且基于腔长变化量是否大于预设的变化阈值判断振动信号是否为目标振动信号；其中，干涉信号基于反射信号和光信号生成。基于上述装置，准确地检测振动信号。
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公开(公告)号：CN115010098A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210891740.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于硫酸加工领域，公开了一种高效制备超净高纯硫酸的方法。该方法是以工业级硫酸氢钠为原料，将络合、重结晶、阳离子交换树脂和阴离子交换树脂依次交换、脱水、过热蒸汽微孔膜过滤、真空减压干燥、减压热分解、三氧化硫吸收制备高纯硫酸结合在一起，可以制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的超净高纯硫酸，并且产量高，产品质量稳定。本发明克服了传统制备方法原料不安全、环保、杂质含量偏高、能耗高的不足。
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公开(公告)号：CN114662424B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
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公开(公告)号：CN114720048A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210648150.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114662424A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
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公开(公告)号：CN114323355B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111182767B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911426098.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。
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公开(公告)号：CN113774348A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111107898.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。
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公开(公告)号：CN113529031A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010286376.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
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