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公开(公告)号：CN104076265B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410266126.3
申请日：2014-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述方法包括：快速拉升半导体器件环境温度，并随时间快速线性上升。同时采集线性升高的环境温度和器件温敏参数值随时间变化。当测量温度随时间的线性变化率，以及温敏参数随温度变化率，即可得到温敏参数随温度的变化系数。所述装置包括：温度系数测试仪、温度控制平台和被测半导体器件。本发明采用动态法测量半导体器件温度系数，改变环境温度的同时采集相应温敏参数。该方法测量速度快，精度高，重复性好，极大地提高了半导体器件热性能的测量效率。
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公开(公告)号：CN106835052A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710246585.9
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/042 , C23C14/08 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可。与现有的技术相比，本发明工艺可控性强，易操作，成本低，制得产物纯度高。而且本发明制备的薄膜具有优越的阻变特性，并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BFO铁电薄膜在阻变存储器中获得应用。
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公开(公告)号：CN103954899B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410140784.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I‑V特性的测量，得到I‑V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变化的关系曲线，再利用半导体参数分析仪采集二极管在不同电流下电压随时间的变化关系，结合之前得到的不同电流下电压随温度变化的关系曲线，即可得到二极管的瞬态温升。本发明采用无开关测试装置实时测量二极管瞬态温升，与带有开关切换装置的现有测量方法相比，消除了因开关切换延迟引起的温升误差。同时，图示仪产生的窄脉冲电流，脉宽足够小，可有效避免二极管自升温对温升的影响，使测试精度有很大提高。
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公开(公告)号：CN106443401A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610900251.4
申请日：2016-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法属于功率MOS器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了被测功率MOS器件漏-源电压和栅-源电压信号控制的快速切换开关；漏-源大电流工作的快速切换开关；采用FPGA设计了漏-源电压、栅-源电压和漏-源电流的采集和设定功能。测试中，首先得到温敏参数曲线；然后，给器件施加工作电流，使得器件升温，待器件输出功率达到稳态后，断开工作电流，接通测试电流，采集功率MOS器件源-漏寄生二极管的结电压，对应得到器件结温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可得到功率MOS器件的热阻构成。本发明解决测试仪器价格高昂，测量技术操作复杂，测量周期长的问题。
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公开(公告)号：CN106199366A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610476411.7
申请日：2016-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103822731B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410079725.4
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度?通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度?通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器件没有损伤，在保证器件安全的同时，提高了结温测量精度。
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公开(公告)号：CN105699711A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610166698.3
申请日：2016-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/0408
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件热阻测量中的自动固定装置，包括上位机、FPGA、驱动电路、步进电机、压力传感器、AD转换芯片、夹具。上位机与FPGA通过USB转TTL模块相连，FPGA通过驱动电路与步进电机相连，步进电机与夹具相连，压力传感器固定在夹具上，压力传感器通过AD转换芯片与FPGA相连。通过上位机设定一压力值，步进电机通过驱动丝杆转动给器件施加压力，在加压过程中器件所受压力能够通过传感器实时反馈给上位机形成闭环控制系统，上位机根据反馈回的压力值与设定值比较控制步进电机转动，确保最终施加给器件的压力值准确。本发明自动化程度高，操作简易，能够保证施加的压力值准确，提高半导体器件热阻测量准确性。
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公开(公告)号：CN104849308A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510243826.5
申请日：2015-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种半导体器件界面热阻的测试方法，在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下，基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量，利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析，提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值，得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总热阻值。接下来对测得的数据进行分析，通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的热阻的增量，同时，通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的热阻的增量，通过以上计算分析，得到要测的器件的界面热阻Rth(界面)。
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公开(公告)号：CN104808130A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510182241.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号：CN104568604A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410817306.6
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 一种用于对薄膜样品施加动态均匀应力的四点法装置，属于压力加工技术领域。包括用于支撑整个机械装置的支架、支撑齿轮传动装置的钢板、实施加载力的齿轮、使齿轮自由转动的轴承和轴、通过程序控制并带动整个齿轮装置的步进电机；其特征在于通过程序控制步进电机转动，通过齿轮之间的啮合传动，使实施加载力的两个齿轮转动方向相反，从而对样品实施加载力，并且样品受到的应力均匀分布，随齿轮转动而均匀变化，使样品不容易损坏，每次试验，装置各部分位置固定，不需要重新布置，操作简单方便，实验效率高。
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