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公开(公告)号：CN107706245B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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公开(公告)号：CN110429025A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910733300.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用金属基底制备的氮化物外延结构及其制备方法。本发明通过在退火处理的金属基底上表面氮化形成金属氮化物薄层和沉积低温金属氮化物薄层，抑制金属基底和氮化物外延功能层间界面反应和金属原子扩散，并通过高温外延法和富氮插入层方法提高氮化物外延功能层晶体质量，得到高晶体质量、高散热能力的氮化物外延功能层；采用单晶Ni或Ti为金属基底，与氮化物外延技术兼容，并能够通过高温热处理方法提高金属基底晶体质量，有利于制备高质量氮化物外延功能层；高温外延和富氮插入层技术提高了氮化物外延功能层晶体质量，降低了缺陷密度并改善结构性能；本发明无需复杂的光刻技术，设备简单，易操作，适合产业化应用。
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公开(公告)号：CN110211869A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910449858.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二维氮化硼插入层弛豫氮化物外延结构中应力的方法。本发明通过在氮化物外延结构与异质衬底间引入二维氮化硼BN插入层的方法，利用二维氮化硼BN插入层中原子层间弱分子键连接、易于释放应力等特点，实现氮化物外延结构中应力的可控调制，得到高晶体质量、高性能的氮化物外延结构；制备出的氮化物外延结构易于成核成长、缺陷密度低、晶体质量高；有效弛豫氮化物外延结构生长过程中的应力积聚和降温过程中的热应力积聚，避免氮化物外延结构生长及降温过程开裂，提高成品率；通过对二维氮化硼BN插入层结晶度、厚度和表面形貌的选择，在保证氮化物外延结构晶体质量的基础上实现对氮化物外延结构中应力的调制，重复性好。
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公开(公告)号：CN106680252B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201611055447.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括：纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁；本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸，通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸；固定温度退火过程，保证核‑壳结构中的纳米线完全分解，并不破坏限制于纳米管内壁和纳米管外壁之间的量子结构；纳米管的荧光标记部分采用半导体量子结构，具有荧光强度高，持续时间长，光化学性质稳定，不易发生光漂白，高效率辐射复合；并且，可以采用连续宽谱激发，吸收系数大，荧光发射峰窄，无波长拖尾，可辨识度高；纳米管结构既可实现管内的运载物的荧光标记运载，还能进行传统的包裹式或结合式荧光标记运载。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706245A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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公开(公告)号：CN104485284B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410820866.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期、数量、长度和直径，满足不同的FET需求；富VI族或富V族原子的生长条件达到表面抑制的效果，降低了金属原子在表面的各向同性迁移，有利于纳米线的生长；可控阵列纳米线FET的制备可采用传统的半导体器件制备工艺，工艺简单，可调控性强，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN104347356B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410455805.5
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN105846310A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01S5/04 , H01S5/028 , H01S5/34 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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公开(公告)号：CN104485284A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410820866.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/02 , H01L29/0673 , H01L29/66446 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期、数量、长度和直径，满足不同的FET需求；富VI族或富V族原子的生长条件达到表面抑制的效果，降低了金属原子在表面的各向同性迁移，有利于纳米线的生长；可控阵列纳米线FET的制备可采用传统的半导体器件制备工艺，工艺简单，可调控性强，成本低廉，能实现批量生产。
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