公开(公告)号：CN107706245B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201711120075.3

申请日：2017-11-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  王丁 ,  沈波 ,  杨流云 ,  王平 ,  王涛 ,  陈兆营 ,  盛博文 ,  张健 ,  谭为 ,  苏娟 ,  石向阳

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。

公开(公告)号：CN107706245A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711120075.3

申请日：2017-11-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  王丁 ,  沈波 ,  杨流云 ,  王平 ,  王涛 ,  陈兆营 ,  盛博文 ,  张健 ,  谭为 ,  苏娟 ,  石向阳

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。