一种建立单向阀门漏口型骶管囊肿大鼠模型的方法

    公开(公告)号:CN112168409A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910593453.2

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种建立单向阀门漏口型骶管囊肿模型的方法。所述方法包括以下步骤:步骤1):选择模型动物;步骤2):通过手术暴露出所述模型动物腰骶椎管内硬膜囊末端;步骤3):在所述模型动物的神经根穿出所述硬膜囊处,将局部移行处的硬膜纵行切开,但使内部的蛛网膜保留完整;和步骤4):用筋膜或人工硬膜在切开两侧缝合成“只出不进”的单向阀门漏口模型。利用本发明的方法,成功模拟存活率达100%的含神经根型骶管囊肿动物模型,且其囊肿形态跟真实病例中的囊肿形态非常相似。

    锁扣式套扎紧缩环及其应用
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112168261A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910593455.1

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种锁扣式套扎紧缩环,包括扎紧带和锁扣,扎紧带包括位于中部的捆绑段以及位于捆绑段两端的卡固段,锁扣包括外壳,外壳上设置有贯穿外壳的紧固孔,扎紧带的卡固段相对弯折,相对弯折的两段卡固段从紧固孔的插入端贯穿紧固孔并与紧固孔单向滑动,扎紧带的两端卡固段穿过紧固孔后,捆绑段形成一个扎圈。本发明具有便于操作,同时将含有漏口在内的囊肿颈部直接套扎并以不可逆锁扣扣实,确保囊液不再渗透入囊肿内的效果。

    手术室补充照明系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN110220140B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201910612118.2

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种手术室补充照明系统及其控制方法,包括子光源、全向云台等,使用时通过多个子光源与手术室无影灯配合或单独使用为手术过程提供照明,通过术野与各子光源之间的初始相对位置关系的识别判断,当子光源和术野之间被障碍物遮挡时,电机可带动子光源在轨道上改变位置,在子光源运动过程中全向云台不断调整子光源的水平摆角和俯仰角度,使子光源的出光面始终朝向术野的相对坐标所在位置,直至子光源摆脱障碍物的阻挡,重新找到术野图像。本发明采用多个子光源编队分布,由上位机统一指挥布局。未点亮的子光源实时朝向术野,可及时亮起,和被遮挡光源无缝衔接,避免因照明问题影响手术。

    按压式扣链及其应用
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112168237A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910593368.6

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种按压式扣链,包括扣链本体,扣链本体包括相对设置的第一条链和第二条链,第一条链和第二条链的一端通过可塑性变形的连接条相连,第一条链朝向第二条链的一侧表面沿着第一条链的长度方向设置有多个凸齿,第二条链朝向第一条链的一侧设置有与凸齿数量相匹配的卡槽,凸齿与卡槽相对设置,凸齿自连接第一条链的一端向其自由端横截面的面积逐渐增大,凸齿的自由端能够自卡槽的槽口按入到卡槽的内部,卡槽槽口的横基面的面积小于凸齿自由端的横截面的面积。本发明具有在操作简便,且能够快速的将硬膜的端片边缘对合固定在一起的效果。

    手术室补充照明系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN110220140A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910612118.2

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种手术室补充照明系统及其控制方法,包括子光源、全向云台等,使用时通过多个子光源与手术室无影灯配合或单独使用为手术过程提供照明,通过术野与各子光源之间的初始相对位置关系的识别判断,当子光源和术野之间被障碍物遮挡时,电机可带动子光源在轨道上改变位置,在子光源运动过程中全向云台不断调整子光源的水平摆角和俯仰角度,使子光源的出光面始终朝向术野的相对坐标所在位置,直至子光源摆脱障碍物的阻挡,重新找到术野图像。本发明采用多个子光源编队分布,由上位机统一指挥布局。未点亮的子光源实时朝向术野,可及时亮起,和被遮挡光源无缝衔接,避免因照明问题影响手术。

    一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法

    公开(公告)号:CN118773742A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410734646.6

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法。本发明通过在III族氮化物的制备过程中引入反型层,利用反型层重塑晶格驱动III族氮化物晶格极性的反转,使得III族氮化物能够在制备过程中完成可控的晶格极性反转,实现了对目标III族氮化物金属极性和氮极性可选择性的生长,其最终极性与氮化物初始极性无关;本发明极大拓展了III族氮化物外延生长的衬底选择范围,特别是对于制备难度和成本更高的氮极性III族氮化物,使之能在更低廉的金属极性上完成制备,制备流程简单、可控且成本低,对于进一步实现低本高效氮极性III族氮化物生长及其功率射频器件意义重大。

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