公开(公告)号：CN1216401C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1635673A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200310123450.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆秀真 ,  常秀兰 ,  李成明 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

公开(公告)号：CN1484276A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1452214A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105735.4

申请日：2002-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。

公开(公告)号：CN119717264A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411915393.9

申请日：2024-12-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 金鹏 ,  王占国

IPC: G02B27/00 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明提供了一种用于深紫外光路中的杂散光抑制系统，涉及深紫外光学技术领域，用以解决现有技术难以有效抑制深紫外光学系统中产生杂散光的技术问题。该系统包括：长光路单元，长光路单元设有光束通道，用于传输深紫外光束，其中，光束通道贯穿于长光路单元设置，深紫外光束的光程长度大于等于光束直径的100倍；杂散光抑制单元，设于光束通道上，用于抑制深紫外光束中的杂散光，其中，杂散光抑制单元包括平片滤光单元、棱镜偏转单元和光阑单元中的至少一种。该系统可以有效降低深紫外激光中的杂散光成分，提高深紫外光学系统的信噪比。

公开(公告)号：CN118155766B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410254220.0

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵超 ,  沈超 ,  占文康 ,  徐波 ,  王占国

IPC: G16C60/00 ,  G06F18/23

Abstract: 本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置，其中，方法包括：在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量，之后，将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段，其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。从而提高了确定材料生长阶段的准确性。

公开(公告)号：CN119296697A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411408214.2

申请日：2024-10-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王镇 ,  金鹏 ,  屈鹏霏 ,  曹繁秋 ,  韩煦 ,  王占国

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供一种金刚石共掺杂体系可行度的评估方法，包括：构建金刚石共掺杂体系的模型，金刚石共掺杂体系包括至少一种共掺杂复合物；基于金刚石共掺杂体系模型，确定金刚石共掺杂体系的共掺杂复合物的形成能、结合能、热力学跃迁能级；根据形成能与第一预设条件、结合能与第二预设条件、热力学跃迁能级与第三预设条件的关系，确定共掺杂复合物在金刚石晶格中的掺杂可行度，其中，第一预设条件表征共掺杂复合物在金刚石晶格中形成的难易程度，第二预设条件表征共掺杂复合物结合的稳定程度，第三预设条件表征热力学跃迁能级为浅能级，且存在于金刚石晶格中的其他复合物或单元素杂质的热力学跃迁能级不能是其他极性的浅能级。

公开(公告)号：CN113594230B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202110860565.7

申请日：2021-07-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐鹏飞 ,  冯梦阳 ,  金鹏 ,  周广迪 ,  霍晓迪 ,  屈鹏霏 ,  王占国

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。

公开(公告)号：CN118016527A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410171590.8

申请日：2024-02-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩煦 ,  金鹏 ,  王镇 ,  曹繁秋 ,  屈鹏霏 ,  赵志伟 ,  王占国

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16

Abstract: 提供了一种肖特基势垒二极管能量转换器的制备方法，所述方法包括以下步骤：对衬底层进行离子注入，在所述衬底层内部形成损伤层，所述损伤层将所述衬底层间隔为第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层位于离子注入经过区域；退火处理，使所述损伤层完全石墨化形成石墨层；在所述第一衬底层上依次外延生长非故意掺杂金刚石外延层和p型金刚石外延层；剥离得到包括所述第一衬底层、所述非故意掺杂金刚石外延层以及所述p型金刚石外延层的复合结构层；在所述复合结构层中的p型金刚石外延层一侧制备欧姆接触电极以及在第一衬底层一侧制备肖特基接触金属电极。

公开(公告)号：CN117976739A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202211306418.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 许敦洲 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括：衬底层，依次叠设于衬底层的雪崩倍增层、电荷控制层、吸收层和欧姆接触层；衬底层的材质采用高掺杂P型金刚石，雪崩倍增层的材质采用低掺杂P型金刚石，电荷控制层的材质采用高掺杂N型氧化镓，吸收层的材质采用低掺杂N型氧化镓，欧姆接触层的材质采用高掺杂N型氧化镓；其中，衬底层的底部和欧姆接触层的表面分别沉积有阴极接触金属和阳极接触金属；阳极接触金属表面被刻蚀形成阳极电极图形。该雪崩光电二极管可通过负载一定的电压实现高的雪崩增益，从而获得高的响应度，同时采用异质结结构，具有暗电流低、响应速度快的优点。