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公开(公告)号：CN118155766B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410254220.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置，其中，方法包括：在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量，之后，将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段，其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。从而提高了确定材料生长阶段的准确性。
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公开(公告)号：CN118136173A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410254218.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C10/00 , G16C20/70 , G06N20/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本申请提出一种材料生长的控制方法及装置，其中，方法包括：在材料生长过程中，获取当前时刻的原位数据，之后，根据材料的生长模式，确定处理模型，以利用处理模型对原位数据进行处理，获取处理结果，然后基于处理结果，确定待执行的控制操作。由此，基于不同的生长模式对应的不同处理模型对原位数据进行处理获取处理结果，以基于处理结果，执行不同的控制操作。从而提高了材料生长控制的准确性，进而提高了材料的质量。
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公开(公告)号：CN117080861A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311110708.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种硅基III‑V族模斑转换集成激光器制备方法，包括：在无偏角标准SOI的第一区域制备波导结构；对无偏角标准SOI的第二区域进行处理以暴露出硅衬底并在硅衬底上制备单畴锑化物缓冲层；在单畴锑化物缓冲层上制备砷化物外延层；在砷化物外延层上引入In元素制备位错捕获层；以及在位错捕获层上进行选区外延以制备激光器结构层和模斑转换器结构层，完成硅基III‑V族模斑转换集成激光器的制备。同时，还提供一种通过上述制备方法制备的硅基III‑V族模斑转换集成激光器。
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公开(公告)号：CN118155765B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410254216.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开提出一种兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置，涉及机器学习技术领域，该方法包括：确定待制备器件的第一功能参数和目标制备材料的生长参数信息，其中，第一功能参数表征期望的器件参数的参数范围；将第一功能参数和生长参数信息输入到材料生长预测模型中，以得到第二功能参数；确定工艺流程参数和环境感知参数；将工艺流程参数、第二功能参数和环境感知参数输入到材料工艺预测模型中，以得到第三功能参数。由此，可以能在材料生长制备阶段就能兼顾不同工艺流程并自动优化不同生长参数信息，以及预生成具体工艺流程的内容，有效提高器件制备的成品率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118609713B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410254224.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请提出一种材料生长参数的调整系统及方法，包括：数据获取模块，用于获取生长参数对应的第一参数值及原位表征数据；处理模块，用于根据正在生长材料的目标类型及目标生长阶段，从通过可扩充模型接口与调整系统连接的参数获取模型中确定目标参数获取模型；模型调用模块，用于通过可扩充模型接口，将第一参数值及原位表征数据中的至少一项输入至目标参数预测模型，获取输出结果；模型数据再处理模块，用于根据输出结果确定生长参数对应的第二参数值；参数调整模块用于基于第二参数值，对生长参数对应的参数值进行调整。降低调整系统的处理数据量，避免系统卡顿，提高数据处理效率，进而提高对生长参数控制的及时性，提高材料生长质量和良品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230496A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310080239.3
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于激光辅助横向外延的半导体材料及其制备方法，该基于激光辅助横向外延的半导体材料的制备方法包括：选取衬底，并基于干涉激光在衬底上制备多层经过图案化且具有周期性排布的凹陷的缓冲层，周期性排布的凹陷适用于利用横向外延的方法生长相邻的一层缓冲层。本发明所提供的基于激光辅助的缓冲层的制备方法，可以减少外延材料的位错和缺陷密度，成本低廉，可大批量生产，在半导体材料领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN118155767A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410254221.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请提出一种材料生长参数的调整方法及装置，其中，方法包括：将已制备材料的历史生长过程中生长参数的第一参数值及已制备材料的表征结果，输入第一参数获取模型，以获取待制备材料生长时生长参数的初始参数值；在待制备材料在初始参数值对应的生长环境中生长的过程中，实时获取生长参数的第二参数值及待制备材料的原位表征数据；将第二参数值及原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取生长参数的预测结果；基于预测结果，对生长参数在目标时刻对应的参数值进行调整。不仅在材料生长前设定每个生长参数经过优化后的初始值，也在材料生长过程中对生长参数的值进行动态优化，有效提高材料生长质量和良品率。
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公开(公告)号：CN118155766A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410254220.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置，其中，方法包括：在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量，之后，将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段，其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。从而提高了确定材料生长阶段的准确性。
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公开(公告)号：CN118609713A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410254224.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请提出一种材料生长参数的调整系统及方法，包括：数据获取模块，用于获取生长参数对应的第一参数值及原位表征数据；处理模块，用于根据正在生长材料的目标类型及目标生长阶段，从通过可扩充模型接口与调整系统连接的参数获取模型中确定目标参数获取模型；模型调用模块，用于通过可扩充模型接口，将第一参数值及原位表征数据中的至少一项输入至目标参数预测模型，获取输出结果；模型数据再处理模块，用于根据输出结果确定生长参数对应的第二参数值；参数调整模块用于基于第二参数值，对生成参数对应的参数值进行调整。降低调整系统的处理数据量，避免系统卡顿，提高数据处理效率，进而提高对生长参数控制的及时性，提高材料生长质量和良品率。
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公开(公告)号：CN118155765A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410254216.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开提出一种兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置，涉及机器学习技术领域，该方法包括：确定待制备器件的第一功能参数和目标制备材料的生长参数信息，其中，第一功能参数表征期望的器件参数的参数范围；将第一功能参数和生长参数信息输入到材料生长预测模型中，以得到第二功能参数；确定工艺流程参数和环境感知参数；将工艺流程参数、第二功能参数和环境感知参数输入到材料工艺预测模型中，以得到第三功能参数。由此，可以能在材料生长制备阶段就能兼顾不同工艺流程并自动优化不同生长参数信息，以及预生成具体工艺流程的内容，有效提高器件制备的成品率，降低了生产成本。
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