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公开(公告)号：CN113517371A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110392526.9
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0272 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑体灵敏的室温低维碲红外光电探测器及制备方法。其器件结构自下而上依次为是衬底、低维的纳米半导体，覆盖在器件两端的金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的碲(Te)纳米线或者纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上，运用激光直写或者电子束光刻的方法，结合热蒸发工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构，成为低维纳米光电探测器。器件首先需要在源极和漏极间施加一小电压，通过黑体光源光照下的电流信号变化，进而实现黑体探测。该黑体灵敏探测器具有室温工作、黑体灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
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公开(公告)号：CN111293188B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010126506.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种集成式高消光比红外圆偏振探测器及设计方法，其结构包括金属反射层，下电极层，量子阱层，上电极层，二维手性超材料层。在某一旋光入射下，超材料层与量子阱层界面形成表面等离激元，主要的电场方向与量子阱的吸收方向相重合，从而增强量子阱的吸收。而在另一旋光入射下，大部分光功率被反射，不能有效激发表面等离激元，量子阱的吸收非常低，从而实现了红外圆偏振高消光比的探测能力。
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公开(公告)号：CN113013268A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100758.2
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器。基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器包括红外焦平面探测器和形成在衬底处的超表面透镜。该超表面透镜由许多亚波长尺度的小圆柱构成，小圆柱的位置和直径大小按照相位规律排布，该超表面可以调制入射光的波前，使其能够聚焦到探测器像元的吸收层上。相比传统的红外焦平面探测器，本发明能够实现亚波长量级的聚焦光斑，可以将像元尺寸减小至波长量级，有利于平面式焦平面器件往更小的像元，更高的像元密度发展。与此同时，能在器件的光响应不变或提高的情况下，降低器件的暗电流，提高信噪比，抑制像元之间的光电串扰。
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公开(公告)号：CN112129787A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010966408.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。该工艺适用于不同类型的材料，包括薄膜材料、二维材料、纳米线等。本发明的优点在于精准定点转移、无水接触、样品损伤小、有机残留少、适用面广、成本低、效率快、成功率高。
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公开(公告)号：CN111244755A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010052456.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种介质光学微腔嵌埋黑磷的红外激光器及其制备方法。该结构自下而上依次包括衬底、底层介质布拉格反射镜、底层介质腔层、黑磷二维材料、顶层介质腔层和顶层介质布拉格反射镜。其中底层和顶层介质布拉格反射镜是辐射波段透过的高低折射率材料交替生长而成；底层和顶层介质腔层也是辐射波段透过的材料；光增益材料为黑磷(BP)二维材料。介质布拉格反射镜和介质腔层的制备方法可以采用磁控溅射、电子束蒸发等方法。这种黑磷二维材料嵌埋型微腔激光器具有红外波段发射、单模、低阈值、可室温工作等一系列优点，在光谱学、光通信、信号处理、高通量传感和集成光学系统上有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109342359A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811249901.9
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种对农药中掺入其他微量成分浓度的快速检测方法，首先测试不同成分的浓度农药标准样本的光谱，然后对所测得的光谱曲线进行预处理，通过数学建模的方法，建立相应的预测浓度模型。使用时，只需测试待测农药的光谱，并输入预测模型中进行预测，即可获得该农药中掺杂成分的浓度结果，而且可以只在农药特征波长的小波段内进行预测，非常简单、便捷，检测浓度极限可以低至0.4％，检测浓度误差最小达到0.07％。该方法快速、准确、简便、成本低廉，而且可以根据不同农药成分的特征光谱信息，实现对不同农药成分的检测，具有很好的扩展性和普适性。
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公开(公告)号：CN107946401A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711324336.3
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/119 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/119 , H01L27/1443 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、硒化铋薄膜、对数天线和金属源漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的具有丰富表面态硒化铋薄膜转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备对数天线和金属电极作为源极和漏极，形成硒化铋薄膜场效应晶体管结构。器件在太赫兹光的照射下硒化铋薄膜表面态电子与晶格发生不对称性散射，进而实现室温快速的太赫兹的探测。该太赫兹探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点并属于光伏型探测器件，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN105514128B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510864402.0
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开一种石墨烯室温太赫兹波探测器，所述探测器件包括蓝宝石衬底和其上蒸镀对数周期天线结构以及引线电极，且太赫兹波耦合对数周期天线两边分别与对应的引线电极相连，在对数周期天线间距中转移具有载流子浓度可调和高迁移率的石墨烯导电沟道，保证石墨烯与两边对数周期天线互连。本发明的优点在于：器件的太赫兹响应高，可实现宽频、高速、高灵敏度、高信噪的太赫兹波探测；器件的集成度和小型化好，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN105116481B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510618029.0
申请日：2015-09-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100％(剩余不足10‑5)，而对于其他波长光的损失小于1％。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择，膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备，易于实现低成本、大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN105514157A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610019754.0
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/205 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0684 , H01L29/122 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。
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