公开(公告)号：CN105514157A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019754.0

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈效双 ,  姚路驰 ,  王林 ,  胡伟达 ,  陆卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。

公开(公告)号：CN205376535U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620030231.1

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈效双 ,  姚路驰 ,  王林 ,  胡伟达 ,  陆卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。