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公开(公告)号：CN110470611B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201910618869.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN系薄膜生长条件的在线检测装置及方法，通过非接触式的反射谱测量，可在线获取GaN系半导体薄膜在高温下影响材料生长的参数，实现材料生长过程中工艺条件的实时监控和薄膜质量检测。此方法可在线实时检测多个参数。本发明公开了一种实现该方法的装置，包括：在生长GaN系薄膜材料的反应室窗口引入石英光波导管，将光照射到样品上并将信号收集至光谱仪中；在石英光波导管周围通入氮气以保护光波导管端面不会沉积上薄膜材料而被污染；在用于生长薄膜的衬底与其下方的加热炉之间放置石墨盘基座挡光，以防止加热炉发光对反射谱测试结果的影响。
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公开(公告)号：CN111579067B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010440769.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽带外截止的集成窄带分光器件，该器件自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一阶梯状介质层、负介电常数材料层、第二阶梯状介质层、顶层一维光子晶体组成。本发明基于Tamm态诱导透射原理，通过调整负介电常数材料层两侧介质层的厚度，控制分光器件的带通峰位，从而实现不同透射波长的窄带通滤波器在同一块衬底上集成，达到多通道同时分光的目的。本发明的分光器件在实现对不同波长分光的同时，亦具有超宽的截止带，截止范围可从深紫外到远红外，做到分光和带外截止一体化。该器件结构简单、易与探测器集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111580198A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010440783.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，器件结构自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一介质层、负介电常数材料层、第二介质层、顶层一维光子晶体组成。当特定波长的光照射在此窄带通滤波器上时，会在负介电常数材料层与光子晶体的交界处激发Tamm等离激元，诱导该波长的光能透过该器件，形成窄带透射，定义窄带透射中心波长为该器件的中心波长，通过调整光子晶体的禁带和反射相位能够灵活地改变中心波长的透射峰位。该器件截止范围可从深紫外到远红外，中心波长从可见到红外可调，并且结构简单、层数少，易与探测器集成。
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公开(公告)号：CN111244755A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010052456.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种介质光学微腔嵌埋黑磷的红外激光器及其制备方法。该结构自下而上依次包括衬底、底层介质布拉格反射镜、底层介质腔层、黑磷二维材料、顶层介质腔层和顶层介质布拉格反射镜。其中底层和顶层介质布拉格反射镜是辐射波段透过的高低折射率材料交替生长而成；底层和顶层介质腔层也是辐射波段透过的材料；光增益材料为黑磷(BP)二维材料。介质布拉格反射镜和介质腔层的制备方法可以采用磁控溅射、电子束蒸发等方法。这种黑磷二维材料嵌埋型微腔激光器具有红外波段发射、单模、低阈值、可室温工作等一系列优点，在光谱学、光通信、信号处理、高通量传感和集成光学系统上有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110470611A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910618869.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN系薄膜生长条件的在线检测装置及方法，通过非接触式的反射谱测量，可在线获取GaN系半导体薄膜在高温下影响材料生长的参数，实现材料生长过程中工艺条件的实时监控和薄膜质量检测。此方法可在线实时检测多个参数。本发明公开了一种实现该方法的装置，包括：在生长GaN系薄膜材料的反应室窗口引入石英光波导管，将光照射到样品上并将信号收集至光谱仪中；在石英光波导管周围通入氮气以保护光波导管端面不会沉积上薄膜材料而被污染；在用于生长薄膜的衬底与其下方的加热炉之间放置石墨盘基座挡光，以防止加热炉发光对反射谱测试结果的影响。
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公开(公告)号：CN111580198B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010440783.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，器件结构自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一介质层、负介电常数材料层、第二介质层、顶层一维光子晶体组成。当特定波长的光照射在此窄带通滤波器上时，会在负介电常数材料层与光子晶体的交界处激发Tamm等离激元，诱导该波长的光能透过该器件，形成窄带透射，定义窄带透射中心波长为该器件的中心波长，通过调整光子晶体的禁带和反射相位能够灵活地改变中心波长的透射峰位。该器件截止范围可从深紫外到远红外，中心波长从可见到红外可调，并且结构简单、层数少，易与探测器集成。
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公开(公告)号：CN111579067A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010440769.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽带外截止的集成窄带分光器件，该器件自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一阶梯状介质层、负介电常数材料层、第二阶梯状介质层、顶层一维光子晶体组成。本发明基于Tamm态诱导透射原理，通过调整负介电常数材料层两侧介质层的厚度，控制分光器件的带通峰位，从而实现不同透射波长的窄带通滤波器在同一块衬底上集成，达到多通道同时分光的目的。本发明的分光器件在实现对不同波长分光的同时，亦具有超宽的截止带，截止范围可从深紫外到远红外，做到分光和带外截止一体化。该器件结构简单、易与探测器集成。
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