公开(公告)号：CN105116481B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510618029.0

申请日：2015-09-25

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王少伟 ,  张轶 ,  陈飞良 ,  李华芬 ,  陆卫 ,  陈效双

IPC: G02B5/22

Abstract: 本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100％(剩余不足10‑5)，而对于其他波长光的损失小于1％。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择，膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备，易于实现低成本、大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN105116481A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510618029.0

申请日：2015-09-25

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王少伟 ,  张轶 ,  陈飞良 ,  李华芬 ,  陆卫 ,  陈效双

IPC: G02B5/22

Abstract: 本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100％(剩余不足10-5)，而对于其他波长光的损失小于1％。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择，膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备，易于实现低成本、大规模工业化生产。