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公开(公告)号:CN105116481A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201510618029.0
申请日:2015-09-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100%(剩余不足10-5),而对于其他波长光的损失小于1%。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择,膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备,易于实现低成本、大规模工业化生产。
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公开(公告)号:CN106768352B
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201611059137.X
申请日:2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种红外窄带辐射源及其制备方法。该辐射源由多层膜结构组成,包括金属层、介质腔层和介质布拉格反射镜。介质腔层厚度和介质布拉格反射镜的厚度可以调节红外窄带辐射源的辐射中心波长。膜系的制备方法可以采用磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、热蒸发、脉冲激光沉积、原子层沉积等其中的一种或者多种组合。这种红外窄带辐射源具有高辐射率,峰值辐射率接近100%,Q因子可达140以上、单色性好等突出性能优势,并且结构简单、易于大面积制备、波长可调、可制备在柔性衬底上等一系列优点,在红外窄带光源、气敏探测器、光电特征标识和新型红外光谱仪上有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN106768352A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611059137.X
申请日:2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种红外窄带辐射源及其制备方法。该辐射源由多层膜结构组成,包括金属层、介质腔层和介质布拉格反射镜。介质腔层厚度和介质布拉格反射镜的厚度可以调节红外窄带辐射源的辐射中心波长。膜系的制备方法可以采用磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、热蒸发、脉冲激光沉积、原子层沉积等其中的一种或者多种组合。这种红外窄带辐射源具有高辐射率,峰值辐射率接近100%,Q因子可达140以上、单色性好等突出性能优势,并且结构简单、易于大面积制备、波长可调、可制备在柔性衬底上等一系列优点,在红外窄带光源、气敏探测器、光电特征标识和新型红外光谱仪上有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN105116481B
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201510618029.0
申请日:2015-09-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100%(剩余不足10‑5),而对于其他波长光的损失小于1%。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择,膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备,易于实现低成本、大规模工业化生产。
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