公开(公告)号：CN114256066B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202011005223.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  马颖江 ,  曾丹 ,  林志龙

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H10D12/00 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN114975128B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202110212995.8

申请日：2021-02-25

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊 ,  廖勇波 ,  肖婷

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。

公开(公告)号：CN113140639B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202010059519.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/83

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。

公开(公告)号：CN112768446B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201910998781.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。

公开(公告)号：CN113363330B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202010151123.0

申请日：2020-03-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。

公开(公告)号：CN113497158B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202010266554.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 温珂 ,  曾丹 ,  史波 ,  林苡任

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN112713090B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201911019801.1

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 马浩华 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112993006B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911276730.3

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。

公开(公告)号：CN111106168B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201811259338.3

申请日：2018-10-26

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  何昌

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。

公开(公告)号：CN114649277A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202011516914.5

申请日：2020-12-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 秦明柳谦 ,  史波 ,  江伟 ,  黄玲 ,  陈治中

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种内嵌散热片的模块结构及其加工方法，其中，该模块结构包括引线框架，引线框架上远离芯片的背部内依次嵌入绝缘导热胶层和散热片。本发明提供的内嵌散热片的模块结构及其加工方法，可以显著降低模块的厚度，使模块朝着小型化发展，同时也由于内嵌的结构设计，散热片与绝缘导热胶层的接触面积增大，提升散热性能，散热片内嵌相较于原始结构的面积更小，可以节约成本。整个加工过程简单便捷，易于操作。