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公开(公告)号：CN101894866A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010220542.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。
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公开(公告)号：CN101819975A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162453.6
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。
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公开(公告)号：CN101807601A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010132082.7
申请日：2010-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101777572A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010023061.1
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的顶部电极，所述的隧穿晶体管结构采用自对准工艺制造，而且用来进行对所述的半导体存储器比如擦写操作和读操作的控制。由多个所述的半导体存储器可以组成一个半导体存储器阵列。本发明还公开了一种上述半导体存储器阵列的控制方法，包括复位、置位、读取步骤。
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公开(公告)号：CN101673727A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196303.4
申请日：2009-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路半导体芯片技术领域，具体为一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法，本发明的互连结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有孔洞；在绝缘体支撑结构之间也有孔洞，以形成气隙结构。本发明采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线，以便在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115105507A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210556755.4
申请日：2022-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/506 , A61P31/14 , C12Q1/18 , C12R1/93
Abstract: 本发明属于生物医药领域，提供了帕唑帕尼在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒（EV‑A71）药物中的应用。本发明还包括相应的药物组合、使用方法、试剂盒等。本发明的研究表明，帕唑帕尼能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，帕唑帕尼治疗后RD细胞的病毒减少，并且帕唑帕尼对RD细胞中EV‑A71的抑制作用呈现剂量依赖性关系。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。
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公开(公告)号：CN115089582A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210556972.3
申请日：2022-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/4439 , A61P31/14
Abstract: 本发明属于生物医药领域，提供了阿昔替尼在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒药物中的应用，所述的病毒是肠道病毒71型嗜神经性病毒EV‑A71。本发明还包括相应的药物组合、使用方法、试剂盒等。本发明的研究表明，阿昔替尼能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，阿昔替尼治疗后RD细胞的病毒显著减少，并且阿昔替尼对RD细胞中EV‑A71的抑制作用呈现剂量依赖性关系。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。
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公开(公告)号：CN109148688A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810756629.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体为一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明钙钛矿太阳能电池的结构从下往上依次为：透明衬底、第一透明电极层、半透明功能层、第二电极层。其中半透明功能层由下至上依次为电子传输层、钾卤素盐层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层，或者为空穴传输层、钾卤素盐层、钙钛矿光吸收层、电子传输层。本钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：在电子传输层上旋涂钾卤素盐，通过钙钛矿的退火，钾卤素盐扩散到钙钛矿层，能够主动地有效地钝化钙钛矿层，增强钙钛矿的结晶性，提高光吸收，并最终提高太阳能电池的效率。本发明制备方法较为简单，具有实际应用意义。
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公开(公告)号：CN104779166B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510156930.0
申请日：2015-04-04
Applicant: 复旦大学
Inventor： 王鹏飞
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种沟槽式分栅功率器件及其制造方法。本发明的沟槽式分栅功率器件的制造方法，是先进行控制栅凹槽和控制栅的刻蚀，再利用自对准的方式刻蚀衬底外延层以形成分栅凹槽，然后再在分栅凹槽内形成分栅。本发明方法，控制栅凹槽和分栅沟槽的图形使用同一块掩模版，采用自对准工艺刻蚀分栅凹槽，可以降低器件加工的复杂度；可以减小控制栅与漏区之间的寄生电容，降低器件的动态功耗并提高开关速度；可以减少分栅凹槽所占的截面面积，降低芯片的导通电阻。
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公开(公告)号：CN104183594B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410404475.7
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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