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公开(公告)号:CN101531493B
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200910071753.0
申请日:2009-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C04B41/009 , C04B20/1022 , C04B28/008 , C04B41/5077 , C04B2111/26 , C04B2111/28 , C04B2201/50 , Y02P40/165 , C04B14/48 , C04B40/0272 , C04B41/0072 , C04B20/02
Abstract: 一种不锈钢纤维网增强铝硅酸盐聚合物复合材料的制备方法,它涉及一种增强铝硅酸盐聚合物复合材料的制备方法。本发明解决了现有方法制备出的铝硅酸盐聚合物力学性能差的问题。制作方法:1. 制作铝硅酸盐聚合物料浆;2.处理不锈钢纤维网;3. 制作不锈钢纤维网坯体;4. 将坯体经真空施压、干燥后制得不锈钢纤维网增强铝硅酸盐聚合物复合材料。本发明制作的复合材料力学性能好,本发明复合材料的密度为2~3g/cm3,抗弯强度为90~105MPa,弹性模量为10~15GPa,抗拉强度为70~115MPa;本发明复合材料可高温下使用,耐燃,耐腐蚀,不释放有毒气体;本发明制作方法在常温下进行,制备工艺简单,成本低。
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公开(公告)号:CN101863677A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010215105.0
申请日:2010-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,它涉及陶瓷钎焊接头的制备方法。本发明解决了现有陶瓷活性钎焊方法接头应力大、强度低及在活性钎料中直接添加的增强相的方法增强相易在接头中偏聚、增强相与基体不易润湿的问题。本方法:Ag、Cu、TiB2及TiH2粉末经球磨后与粘结剂混合均匀,涂覆在陶瓷件的待焊接面上,得到待焊件,然后将其放入真空钎焊炉中,真空钎焊处理,得到原位自生增强相的陶瓷钎焊接头。本发明原位自生TiB晶须与接头基体相容性好、分布均匀,陶瓷钎焊接头的抗压剪强度为70MPa~165MPa,比无增强相接头强度提高了95%~195%。
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公开(公告)号:CN101823187A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN201010301224.8
申请日:2010-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 纳米Ni增强低温无铅复合焊膏及其制备方法,它涉及一种复合焊膏及其制备方法。本发明解决了现有的强化相在钎料母材内部下沉或漂浮而导致其最终在钎料内部团聚的问题。本发明复合焊膏由纳米Ni、松香型助焊剂和Sn-58Bi无铅焊料组成,制备方法如下:将纳米Ni、十二羟基硬脂酸和磨球放入球磨罐中,球磨得到离散化的纳米粒子,然后将离散化的纳米粒子与松香型助焊剂在焊膏搅拌机中搅拌,得到纳米浆料,将Sn-58Bi无铅焊料放入纳米浆料中,然后在焊膏搅拌机中搅拌,即得纳米Ni增强低温无铅复合焊膏。本发明在Sn-58Bi无铅焊料中加入了纳米Ni颗粒,没有纳米Ni团聚现象,使Sn-58Bi无铅焊料的组织得到细化,从而提高了其塑性。
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公开(公告)号:CN101531535A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200910071697.0
申请日:2009-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 连续纤维增强无机聚合物基复合材料的制备方法,它涉及一种无机聚合物基复合材料的制备方法。本发明解决了现有方法制备出的无机聚合物基复合材料耐热性差以及现有的纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法不易制成复杂形状构件、制备工艺复杂、成本高的问题。制备方法:一、制作偏高岭土;二、制作无机聚合物配合料;三、制作预浸料;四、预浸料铺设在模具中;五、高温处理;即制作得到连续纤维增强无机聚合物基复合材料。本发明的制备工艺简单,成本低,能够制作复杂形状构件,耐热性能好,可在1000℃稳定使用。
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公开(公告)号:CN119797765A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510021949.8
申请日:2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性微晶玻璃钎料及其制备方法、铁氧体的连接方法,涉及焊接材料技术领域,本发明提供的磁性微晶玻璃钎料由Bi2O3、B2O3、NiO和Fe2O3按特定的配比组成,经实验发现,该磁性微晶玻璃钎料具有较低连接温度,使用该磁性微晶玻璃钎料在600℃至700℃即可实现铁氧体的连接。本发明提供的铁氧体的连接方法,通过将待连接组件升温至450℃至550℃进行保温,以析出磁性相Ni2FeO4,并在磁性相析出过程中对待连接组件进行超声处理,能够促进磁性相的析出,而且能够使得磁性相在焊接接头中分布更均匀,有利于焊接接头性能的提升。
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公开(公告)号:CN119653739A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411901902.2
申请日:2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及热导材料的技术领域,具体而言,涉及一种石墨烯铝均热板及其制备方法。本发明的石墨烯铝均热板包括石墨烯层和铝层,所述石墨烯层和所述铝层通过导热胶连接。导热胶的制备方法包括以下步骤:向有机溶剂中加入基体材料和固化剂,搅拌混合均匀,得到胶基体;对导热填料体系进行改性,得到改性导热填料体系;将所述改性导热填料体系加入至所述胶基体中,搅拌混合均匀,得到所述导热胶。本发明能够解决石墨烯铝复合材料的制备工艺复杂、生产成本高的问题。
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公开(公告)号:CN115156547B
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202210526683.9
申请日:2022-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种银纳米线及其合成方法,属于新材料技术领域。所述方法包括:以多元醇为溶剂,分别配置硝酸银溶液和硝酸铁溶液;将所述硝酸银溶液、所述硝酸铁溶液加入所述溶剂中混合均匀,得到反应溶液,其中,所述反应溶液中硝酸银的浓度为5mM‑100mM,所述反应溶液中硝酸铁的浓度为3mM‑160mM;将所述反应溶液在70℃‑160℃下保温7min‑50h,得到含银纳米线的母液;对所述母液进行分离得到银纳米线。本发明在不使用任何表面活性剂和阴离子形核剂的情况下,在高浓度铁离子辅助下,大大加快了银纳米线的形核和生长速度,并提高产量,降低合成温度,最终合成了具有高长径比的银纳米线,且一步合成、工艺简单。
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公开(公告)号:CN111737779B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202010581804.0
申请日:2020-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08 , G16C60/00
Abstract: 本发明是一种车载空调钛酸钡陶瓷PTC热管理结构模拟方法。本发明属于钛酸钡陶瓷PTC热管理结构模拟技术领域,本发明建立钛酸钡陶瓷PTC热管理结构模型;对钛酸钡陶瓷PTC热管理结构模型添加物理场,将电流场、固体传热场和电磁热场联合起来;基于钛酸钡陶瓷PTC热管理结构模型,根据电流场建立温度插值函数,设置PTC陶瓷电导率参数;采用网格剖分法对PTC热管理结构模型进行剖分,得到网格分布和网格质量报告;对PTC热管理结构模型进行求解,完成车载空调钛酸钡陶瓷PTC热管理结构的模拟。本发明研究影响PTC封装结构散热能力的因素和参数,分析各种因素影响结构散热的机理,提出了提高PTC封装结构散热能力的措施。
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公开(公告)号:CN115491639A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202211261605.7
申请日:2022-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种表面改性金刚石膜片及其制备方法,涉及材料表面改性技术领域,其中表面改性金刚石膜片包括金刚石膜片和设置在金刚石膜片表面的金属化薄膜,金属化薄膜包括依次设置在金刚石膜片表面的Cr金属层和NiTi合金层,本发明的表面改性金刚石膜片引入多层金属化薄膜,从而达到同时改善金刚石与金属化薄膜结合强度和金刚石可加工性能的效果;本发明的表面改性金刚石膜片的制备方法采用磁控溅射表面改性技术,可以快速地实现多层金属及合金薄膜的沉积,镀层表面平整,厚度可以得到有效控制,进一步的热处理可有效提高金刚石与金属化薄膜的结合强度。
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公开(公告)号:CN114230342B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202111415143.5
申请日:2021-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/622 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供了一种稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质及其制备方法,涉及锂电池技术领域,所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质具有立方结构,且所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质的分子式为Li6.25+xGa0.25La3Zr2‑xMxO12,其中,M为稀土元素,且0≤x≤0.2。与现有技术比较,本发明基于固态电解质LLZO各个位点的掺杂效果,通过稀土氧化物掺杂的手段改性石榴石型Ga‑LLZO电解质以获取电导率高且质量高的LLZO固态电解质。
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