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公开(公告)号：CN106443401B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201610900251.4
申请日：2016-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法属于功率MOS器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了被测功率MOS器件漏‑源电压和栅‑源电压信号控制的快速切换开关；漏‑源大电流工作的快速切换开关；采用FPGA设计了漏‑源电压、栅‑源电压和漏‑源电流的采集和设定功能。测试中，首先得到温敏参数曲线；然后，给器件施加工作电流，使得器件升温，待器件输出功率达到稳态后，断开工作电流，接通测试电流，采集功率MOS器件源‑漏寄生二极管的结电压，对应得到器件结温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可得到功率MOS器件的热阻构成。本发明解决测试仪器价格高昂，测量技术操作复杂，测量周期长的问题。
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公开(公告)号：CN110501380A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910680388.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线，并将其从总的曲线中剔除，从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料，提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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公开(公告)号：CN107622958B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710820324.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计算进了温度响应曲线中。本申请针对这一瞬态温度变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态升温曲线测量之前设计了测量恒温时肖特基结结电压在正向小电流下其结电压变化的步骤，利用这一测量结果对最终的测温结果进行修正。该方法可以很好的修正正向测试电流对结电压的影响，从而达到精确测量器件热响应曲线，获取更客观的纵向热阻构成。
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公开(公告)号：CN108061611B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711300702.1
申请日：2017-12-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用FPGA嵌入式环形振荡器测量温度分布的装置和方法，该装置包括被测芯片、FPGA核心板、USB转串口、串口线、温箱、PC机和串口传输软件；温箱通过USB转串口、串口线与PC机连接；FPGA核心板设置在温箱中；被测芯片与FPGA连接，串口传输软件设置在PC机中。利用FPGA内部资源搭建的可重构环形振荡器的延迟与温度的对应关系实现探测温度。被探测温度可以转换成一个随温度比例变化的时间信号，输出的频率被一个带扫描回路的计数器读出，然后通过串口传回到电脑的上位机，得到被测芯片各个不同位置的温度。通过不断扫描环形振荡器得到温度分布，改变传感器位置多次测量最终得到芯片的整体温度分布。
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公开(公告)号：CN106771942B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610985242.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 双极型晶体管工作在放大区时结温的实时测量方法，属于半导体器件测试领域。本发明在双极型晶体管工作在不同集电结电压Vce和集电极电流Ice的条件下测量出发射结电压与温度的Vbe‑T关系曲线，通过拟合得到校温曲线的函数表达式，并在不同集电结电压Vce条件下分别构建Ice‑Vbe‑T的结温库。当晶体管工作在放大区时，根据加电条件，即集电结电压Vce和集电极电流Ice的数值，和实时测量出的发射结电压Vbe，带入函数表达式即可得知该时刻的结温。该方法拟合出不同加电条件下的校温曲线并得出相应的函数表达式，只需将实时测量出的发射结电压带入其中即可得到此时刻的结温。该方法科学合理，误差较小，是一种高效的结温实时测量方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106054051B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610405943.1
申请日：2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法属于电子器件测试领域。半导体器件的浪涌电流是指在工作电源接通的瞬间，流过器件的峰值电流。由于器件自身或电路寄生电容或电路中容性负载的存在，该峰值电流的数值远远大于器件稳态工作状态下的输入电流，瞬态大电流会引起瞬态温升，严重情况下会导致半导体器件的损毁。本方法相较于传统的电学法，将工作电流和测试电流合二为一。通过对待测器件施加持续时间短，幅值递增变化的电压脉冲，建立专用的校温曲线数据库,利用样条插值法对数据库中的数据进行处理；然后，测量浪涌条件下待测器件两端的电压、电流数据；最后，与数据库中校温曲线数据进行对比，获得待测器件在浪涌电流条件下的结温值。
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公开(公告)号：CN109738777A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极-地连接高速开关和发射极-地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极-集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极-集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极-发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109541428A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811546935.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/02 , G01R31/2621 , G01R31/2628
Abstract: 一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固定在测试平台上，并与HEMT热阻测试仪相连接，在测试过程中，通过采用防自激振荡技术，大幅度减少HEMT器件自激振荡的发生，从而实现HEMT器件的稳定加热及测量，同时采用一种快速开关技术，在测量前快速短路HEMT源漏两端，减少由于防自激振荡电路引入的各项电学参数，如电容、电感等，对切换时间带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明可实现HEMT结温及热阻的稳定测量，并具有较好的通用性。
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公开(公告)号：CN107576422A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710751053.0
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在线测量双极型晶体管器件结温的方法；属于微电子技术中的半导体器件测量技术领域。将待测器件放入温箱当中，调节温箱温度至任意温度值并保持稳定，此时可认为结温等于温箱设定温度。对晶体管施加恒定的加电条件，测量出该条件下的结电压值V；单一变量法改变加电条件并继续测量结电压值。在小电流条件下直接施加持续电流，利用理论模型直接推导出大电流情况下校温曲线。对实验数据进行整理，通过理论模型计算出公式中的关键参数，列表方便后续实验人员应用。在测量时只需根据加电条件在表中找到相应参数，直接测量出结两端电压值V，带入公式即可得出该状态下温度。
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公开(公告)号：CN107490736A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710665603.7
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量电子功能模块内部温度和热阻构成的方法及装置，涉及功率电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪，加热和测试探头和被测模块。将被测模块放置在恒温平台上，加热探头紧贴于被测模块上表面并保持良好接触，加热探头在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经过被测模块传递到恒温平台，然后测量探头在冷却过程中电学温敏参数的变化，得到探头经被测模块到恒温平台的热阻构成，进而计算得到电子功能模块的热阻构成。本发明实现了无损检测电子功能模块的热阻构成并根据表面温度推算其内部温度，填补了相关技术的空缺。
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