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公开(公告)号：CN105575956B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201511029139.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片集成封装模块和封装方法。所述封装模块包括：多组发光单元、第一线路基板、第二线路基板和封装材料；所述多组发光单元集成在第一线路基板上，所述第一线路基板和第二线路基板上包括调整线路和金属球阵列，第一线路基板上的金属球阵列为不规则金属阵列，第二线路基板上的金属球阵列为规则阵列；所述第二线路基板利用其上的调整线路将所述第一线路基板上不规则金属球阵列重置至第二线路基板底部的规则金属球阵列上；所述封装材料用于封装所述多组发光单元、第一线路基板和第二线路基板。
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公开(公告)号：CN103486474B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310447405.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统，包括：多路投影系统，用于提供室内投影式照明系统的投射光线；控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信；多路反射系统，用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述系统通过设置多组投影光路和多个反射面来放大光斑和调整光斑形状。同时，在投影系统中的增加了散热部件，可更大程度的降低系统热量。本发明既节省了传统照明设备中灯具透镜和反射器所占用的空间，又为提供了更大的照明灵活性。
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公开(公告)号：CN102969413B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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公开(公告)号：CN103104839B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310018383.0
申请日：2013-01-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V23/04 , A01G9/20 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种LED四色植物补光装置，包括：红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列、绿光LED阵列、基板5和控制电路；其中所述红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列和绿光LED阵列依次顺序排列固定在基板5上；所述控制电路用于控制红光LED、蓝光LED、远红光LED、绿光LED进行补光。本发明选择了特定规格的四色光LED，既考虑到尽可能集中多种对植物光合作用有特定效果的多个波长的色光，还兼顾经济实用，同时考虑到对人眼的舒适，从而选择常见的红、蓝、远红、绿四色光LED，在选择色光的同时，按照选择的各色LED的功率，通过控制电路得到合理的R/B、R/FR、R/G比值，符合植物光合作用和人眼舒适的要求，更符合需要人参与的植物定向培育需求。
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公开(公告)号：CN103413886A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310379728.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管阵列；步骤3：在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉；步骤4：对外延片进行减薄划裂，得到发光二极管单元；步骤5：取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；步骤6：将发光二极管单元的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成具有可调输出光色的发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径，降低工艺成本的优点。可以对发光二极管模组的尺寸和模组中发光二极管的间距进行精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102255034B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110198226.3
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN103000775A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210550029.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102969418A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210506365.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。
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公开(公告)号：CN102969413A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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公开(公告)号：CN102637810A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210123623.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种LED封装结构及封装成型方法，该LED封装结构包括：一LED支架；一LED芯片，固定于LED支架的表面；两条金属线，用于LED支架与LED芯片的连接；多层硅胶层，封盖于LED支架、LED芯片和两条金属线上。通过本发明的LED封装方法得到的封装结构，可以有效的改善LED的光斑和光型，使LED出光均匀，减少光功率损失，提高外量子效率和LED可靠性，降低光衰。
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