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公开(公告)号：CN1945863A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN1298020C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410089448.1
申请日：2004-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
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公开(公告)号：CN1776442A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN1702926A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510025274.7
申请日：2005-04-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种激发光源和量子点发光光源集成的、灵巧的、便携式微型单光子光源。激发光源为激光二极管，发光光源为量子点嵌埋的三维光学微腔。以激光二极管的芯片作为衬底，在衬底上依次排列量子点嵌埋的三维光学微腔和滤光片。三维光学微腔是由微腔膜系和膜系四周刻蚀呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱构成的。这种结构的优点是：在微腔膜系的垂直方向上形成一维光子晶体，同时微腔膜系又与空气柱形成二维光子晶体，整个结构构成一个三维光子晶体微腔，当嵌埋在微腔中的量子点被激光二极管激发时，由于三维光学微腔的选模作用，可以获得性能优良的单光子输出，形成单光子源。
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公开(公告)号：CN1638218A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410084778.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来，使其不再直接关联，从而使得两个制备过程之间不再相互制约，极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围，可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点，而且大大简化了整个制备工艺过程，最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1622285A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089448.1
申请日：2004-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
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公开(公告)号：CN1445530A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03116787.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种薄膜气体传感器，包括：二片相同材料的衬底，其中一片衬底的一表面有一凹槽，带有凹槽的表面镀有无序型膜系。另一片衬底的二表面为平面，其任一平面镀有无序型膜系，在二无序型膜系之间的二侧边缘粘有特种微米小球粘胶，使其固接成一体，中间为样品室。凹槽内外的高度差分别对应二个不同的带通峰位，将其中的一个带通峰位设计至待检气体的特征吸收峰，另一个带通峰位设计在特征吸收峰附近的非吸收区作为参考峰位，利用气体吸收引起的透射峰强度的相对变化来实现气体含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是可以针对任何一种已知特征吸收峰的气体进行设计，使得响应具有唯一性，同时该传感器还具有灵敏度高、响应快、选择性好、重复性好、寿命长等优点，大大弥补了传统气体传感器各种性能不能兼顾的缺点。
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公开(公告)号：CN1405550A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137758.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明书提供了一种通过测量多个角度反射谱来同时获得薄膜等效折射率和厚度的设备和方法。该设备简单，测量方便。该方法是根据入射光在空气－薄膜－衬底的界面处两次反射会发生干涉，其干涉现象会从反射谱上表现出来。因此只要测得两个不同入射角θ1和θ2含有干涉信息的反射谱R(θ1，ω)和R(θ2，ω)，采用薄膜反射率公式同时拟合这两个反射谱，得到相应的光程差Δ1和Δ2，根据折射定律，联立两个方程就可以得出薄膜的等效折射率n及物理厚度d。与传统方法不同的是该方法可以同时、方便、无损地测出薄膜的等效折射率和厚度，甚至可以用于镀膜过程的实时监控与在线检测。
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公开(公告)号：CN111579067B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010440769.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽带外截止的集成窄带分光器件，该器件自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一阶梯状介质层、负介电常数材料层、第二阶梯状介质层、顶层一维光子晶体组成。本发明基于Tamm态诱导透射原理，通过调整负介电常数材料层两侧介质层的厚度，控制分光器件的带通峰位，从而实现不同透射波长的窄带通滤波器在同一块衬底上集成，达到多通道同时分光的目的。本发明的分光器件在实现对不同波长分光的同时，亦具有超宽的截止带，截止范围可从深紫外到远红外，做到分光和带外截止一体化。该器件结构简单、易与探测器集成。
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公开(公告)号：CN114384621A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210127592.8
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双等离激元共振的角度不敏感窄带滤波器，器件结构自下而上由衬底、金属光栅层、介质隔离层、金属层、介质隔离层、金属光栅层、包覆层组成。本发明利用上下同频等离子激元共振的耦合效应，能让特定波长的入射光透射，而其他波长的光则会被金属层反射，构成窄带滤波器。并且，由于激发等离子激元共振的边界条件是偶极子边界条件，与入射角度无关，因此该滤波器有极好的角度不敏感特性，解决了传统窄带滤波器的带通峰位随入射角度敏感变化的难题。
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