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公开(公告)号：CN113630117A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110949497.1
申请日：2021-08-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03L7/085
Abstract: 本发明请求保护一种基于有限状态机的数字鉴相器，包括第一同步电路、第二同步电路、状态机、加减计数器和保存电路，所述第一同步电路、所述第二同步电路和所述保存电路连接到所述状态机的输入端，所述加减计数器和所述保存电路连接所述状态机的输出端，所述加减计数器连接所述保存电路。本发明先通过第一同步电路和第二同步电路实现对所述第一同步电路输入的输入信号和所述第二同步电路输入的反馈信号进行信号的同步处理，避免亚稳态情况对鉴相器输出结果的影响；然后，在状态机的控制下，根据不同的输入情况进行相应的加或减计数处理；最后，通过保存电路完成数据的保存以及输出。通过以上操作，可以有效的缩短鉴相器的输出时间，减小功耗。
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公开(公告)号：CN113138406A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110238125.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种具有基线保持功能的辐射探测器读出电路，包括电荷敏感放大器，滤波成形器，零极点消除电路，基线保持电路。其中，电荷敏感放大器输出来自于辐射探测器收集的电荷信号，电荷放大器的输出端连接零极点消除电路的输入端，零极点消除的输出端和基线保持电路的输入端连接滤波成形器的输入端，滤波成形器的输出端和基线保持的输出端都连接到输出。本发明包括的电荷敏感放大器用于将探测器收集到的电荷信号积分为指数下降的电压信号，零极点消除电路用于消除电路中产生的极点，滤波成形电路的作用是将零极点消除电路的脉冲信号整形为准高斯波形并滤除噪声，基线保持电路负责在高频事件输入时基线稳定不变。
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公开(公告)号：CN111740569B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010640269.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于DC‑DC转换器中的一种浮动栅宽切换电路。该电路主要包括一个脉宽调制环路，栅宽确定电路，和一个降压核心电路。脉宽调制环路用于产生一个周期不变占空比随输出负载发生变化的PWM(脉宽调制)信号，栅宽确定电路作用是根据负载情况改变驱动信号QP和QN，QP1和QN1以及QP2和QN2三对驱动信号的电平逻辑以改变降压核心模块三对功率MOS管的开关状态。降压核心模块用于给后续电路进行充放电达到稳压目的。减小了整个降压核心模块的寄生电容，减少了在轻载时降压核心模块的开关损耗，提高了电路在轻载情况下的转换效率。
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公开(公告)号：CN108258032B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810053672.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
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公开(公告)号：CN112465134A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011351754.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于LIF(Leaky Integrate and Fire)模型的脉冲神经网络神经元电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括：膜电位积累电路、泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路及复位电路。本发明不仅实现了LIF神经元模型的积分泄露点火功能，还模拟了生物神经元的不应期特性，其中不应期可调。本发明基于CMOS工艺，电路结构简单，且电路中多采用亚阈值区MOS管，使神经元电路具有超低功耗特性；电路的输入电流为pA级，输出脉冲频率为Hz级，能很好模拟生物神经元的典型工作状态，有效地实现了神经元的功能，可用于实现大规模脉冲神经网络系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111740598A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010627127.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于PWM DC-DC转换器的低功耗负载电流检测电路，属于微电子技术领域。包括峰值电流传感模块、采样保持电路、模数转换模块等。本发明采用峰值电流检测模块，采样保持电路、模数转换模块，其中所述的峰值电流检测模块输入端通过开关管接到需要检测续流管的漏级，然后其输出端与采样保持电路的输入连接，采样保持电路的输出端与模数转换电路的输入端连接。所述采样保持电路通过开关电容来获得稳定峰值电流信号，并且通过模数转换模块③转化为数字信号VS[0:3]，以VS[0:3]信号的变化来放映负载电流的变化。
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公开(公告)号：CN108550592B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810281640.2
申请日：2018-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352
Abstract: 本发明请求保护一种低暗计数率CMOS SPAD光电器件，在常规的P+/N‑well型的SPAD结构基础上加入一层P阱层，P阱层位于P+层和N阱层的中间；于此同时，采用N阱间隙作为该结构的虚拟保护环，也就是在PN结的两侧加入N阱，如摘要附图所示。入射光射入器件在中心N阱处被吸收并产生光生载流子，PN结两侧所采用的是P阱层与N阱层，此时的雪崩结为P‑well/N‑well结，由于是轻掺杂雪崩结，耗尽区宽度变宽，减少了载流子带间隧穿的概率，从而降低了暗计数率。同时采用虚拟保护环抑制PN结的边缘击穿，虚拟保护的形成原理是相邻N阱之间存在横向扩散，从而在PN结出形成了n‑的虚拟保护环。该结构从保护环以及耗尽区宽度两方面进行设计，降低器件的暗电流，从而降低其暗计数率。
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公开(公告)号：CN110690884A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910882377.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K17/687 , H03M1/12
Abstract: 本发明请求保护一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，包括开关管、控制逻辑电路、自举电容和负载电容。控制逻辑电路包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12，自举电容包括电容C1和C2，本发明目的在于提高开关电路的线性度和信噪比。创新在于使用CMOS传输门(M6和M7)将输入电压反馈到开关管的栅极，使得开关管的栅源电压保持恒定，使NMOS开关管在采样阶段成为一个定值电阻，从而实现一种高性能的栅压自举开关电路。
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公开(公告)号：CN109873614A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910003936.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器，包括输入跨导放大电路、输入跨导平衡电路、反馈跨导放大电路、反馈跨导平衡电路、跨导电容(Gm-C)高通滤波电路。本发明采用两个相同的跨导放大器分别作为电路的输入级和反馈级，采用套筒式运算放大器构成的输入跨导平衡电路结构平衡输入跨导放大器的差分电流，采用二级运算放大器构成的反馈跨导平衡电路结构平衡反馈跨导放大器的差分电流，从而消除了由于差分电流失配带来的影响，同时迫使流过电阻R2的电流Io等于电阻R1的电流Ii，从而实现了高共模抑制比。采用跨导电容构成的高通滤波器设定高通极点，隔绝人体噪声和直流失调，有效降低了电路噪声，并减小了电路面积。
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公开(公告)号：CN109032781A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810769489.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 重庆邮电大学
CPC classification number: G06F9/4881 , G06N3/0454
Abstract: 本发明请求保护一种卷积神经网络算法的FPGA并行系统。主要分为：输入缓存、权值缓存、缓存控制及计算加速单元等4个主要模块。其中，实现了CNN算法中每层的卷积计算单元和池化计算单元及相应的缓存单元控制，产生所有局部的数据特征向量，实现全连接层将局部特征数据结合起来变成全局特征数据，完成特征分类计算。通过配置卷积运算单元，利用CNN的并行计算特征以及循环变换方法，实现可高效进行并行流水化卷积计算单元电路。提高了电路的整体性能。
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