公开(公告)号：CN105914244A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610491387.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  董丽美 ,  赖云锋 ,  龙博 ,  俞金玲 ,  张红

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。

公开(公告)号：CN103606591B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5 Ω·cm、1.411 cm2/(V·s)和2.165×1016 cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN103531660B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

公开(公告)号：CN103367639B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310316077.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  王玉柱 ,  程树英 ,  林培杰 ,  章杰 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  张红 ,  贾宏杰

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。

公开(公告)号：CN104779304A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510152889.X

申请日：2015-04-02

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: H01L31/00

Abstract: 本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。本发明利用半导体量子阱中光生激子数量随温度的变化效应以及离化激子对内建电场的调控效应，来实现对Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值进行调控的目的，方法简单易行，调控效果明显。

公开(公告)号：CN203325914U

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201320337099.5

申请日：2013-06-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  林斯乐 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  马靖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  B32B3/24

Abstract: 本实用新型涉及一种多孔氧化铝太阳能电池玻璃，其特征在于，包括：一透明基板；一第一多孔结构薄膜，设置于所述透明基板上方；一第二多孔结构薄膜，设置于所述第一多孔结构薄膜上方。本实用新型不仅能增强玻璃的光透射能力，而且有一定的光散射能力，并且，制备技术较为简单，成本较低。

公开(公告)号：CN218823095U

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202320155583.X

申请日：2023-01-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  王建军 ,  张瑞英

IPC: G01M7/08

Abstract: 本实用新型公开了半导体激光器冲击试验装置，主要涉及半导体激光器。包括冲击台、设置在冲击台顶面的自动冲击组件、设置在冲击台上的夹具；所述自动冲击组件包括立杆、设置在立杆上的套筒，所述套筒上设有滑槽，所述套筒内设有滑动块，所述滑动块与滑槽配合滑动，所述滑动块上设有驱动组件，所述驱动组件连接设有传动轴，所述传动轴与套筒螺纹连接，所述传动轴前端设有带有钢丝绳的配重件，所述套筒前端设有阻挡片。本实用新型的有益效果在于：用于对半导体激光器进行冲击试验测试，减少了人工操作的同时能够自动按照一定频率实现对多个半导体激光器进行冲击，提高了现有装置的试验效率，同时还能够实现快速拆卸半导体激光器，节约了试验流程。