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公开(公告)号：CN118671990A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410191730.8
申请日：2024-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种包括用于脉冲幅度调制(PAM)的光调制器装置(OMD)的光学模块，其中OMD包括多个调制器区段。第一调制器区段与第二调制器区段沿环状波导彼此间隔开。此外，第二调制器区段的长度是第一调制器区段的长度的两倍。因此，第二调制器区段的功率因子是第一调制器区段的功率因子的两倍。在使用OMD期间，通过单独的不归零(NRZ)电性信号对第一调制器区段及第二调制器区段进行驱动。NRZ电性信号由驱动器产生，所述驱动器产生NRZ电性信号以对第一调制器区段及第二调制器区段的操作进行协调来产生PAM光学信号。
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公开(公告)号：CN118522750A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410509714.9
申请日：2024-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开的各个实施例涉及包括多个类场板(QFP)的半导体器件，用于增强晶圆均匀性和性能。沟道层和阻挡层堆叠在衬底上，并且沟道层容纳二维载气(2DCG)。源电极、漏电极和栅电极置于沟道层和阻挡层上面，并且所述栅电极在第一方向上位于所述源电极与所述漏电极之间。多个QFP位于栅电极与漏电极之间。此外，所述多个QFP电容耦合至或直接电耦接至漏电极，并且在横向于第一方向的第二方向上成直线彼此横向间隔开。本申请的实施例还提供了集成芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114624820B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110764042.2
申请日：2021-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开用于在光学通信中进行光学耦合的设备及方法。在一个实施例中，公开一种用于光学耦合的设备。所述设备包括：平面层；散射元件的阵列，布置在所述平面层中第一组同心椭圆曲线与对于旋转近似90度的第二组同心椭圆曲线交叉而成的多个相交点处，以形成二维(2D)光栅；第一锥形结构，在所述平面层中形成为将所述二维光栅的第一凸侧连接到第一波导；以及第二锥形结构，在所述平面层中形成为将所述二维光栅的第二凸侧连接到第二波导。所述散射元件中的每一者是进入所述平面层中的柱。所述柱具有形状为凹多边形的顶表面，所述凹多边形具有至少6个拐角。
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公开(公告)号：CN110098823B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811626833.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的各个实施例涉及具有温度补偿的电平转换器及其操作方法、包括电平转换器的门驱动电路。在一些实施例中，电平转换器包括晶体管、第一电阻器和第二电阻器。第一电阻器从晶体管的第一源极/漏极电连接至电源节点，以及第二电阻器从晶体管的第二源极/漏极电连接至参考节点。此外，第一电阻器和第二电阻器具有大致相同的温度系数并包括III‑V族半导体材料。通过具有第一和第二电阻器两者，电平转换器的输出电压由电阻器的电阻比率限定。此外，由于第一和第二电阻器具有相同的温度系数，因此以该电阻比率，由温度引起的电阻变化在很大程度上被消除，并且比起单独的第一和第二电阻器的情况来说，输出电压更不易受温度引起的变化的影响。
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公开(公告)号：CN116520498A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310155395.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/293 , H04B10/80 , H04J14/02 , H04B10/50 , H04B10/516
Abstract: 光学器件包括第一波导、与第一波导相邻的环形波导以及与环形波导一一对应地耦合的加热器。一种方法包括将具有第一波长的第一光源耦合到第一波导，增加通过所述加热器的电流直到所述环形波导中的第一环形波导谐振，将第一环形光波导分配至第一波长，将通过加热器的电流重置为初始电流，将具有第二波长的第二光源耦合到第一波导，其中第二波长不同于第一波长，增加通过加热器的电流直到环形波导中的第二环形波导谐振，其中环形波导中的第二环形波导与环形波导中的第一环形波导不同，以及将环形波导中的第二环形波导分配至第二波长。本申请的实施例还公开了光学系统以及操作光学器件、光学发射器的方法。
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公开(公告)号：CN108538832B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810400632.5
申请日：2012-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一组设计规则生成半导体部件的最优布局的方法包括：对于包括一个或多个半导体部件的单位单元，生成多个结构，每一个都满足一些设计规则但不是所有设计规则。对于每个结构，检查作为单位单元的重复图案的布局是否满足剩余的设计规则。在满足所有设计规则的结构中，选择提供特性的最优值的结构来生成半导体部件的最优布局。
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公开(公告)号：CN111129010A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911044284.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252 , H03K17/687
Abstract: 本揭露实施例公开包括具有不同极化的晶体管的装置及电路以及其制作方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底；有源层，形成在衬底之上且包括第一有源部分及第二有源部分；第一晶体管，包括第一源极区、第一漏极区及第一栅极结构，第一栅极结构形成在第一有源部分之上以及第一源极区与第一漏极区之间；以及第二晶体管，包括第二源极区、第二漏极区及第二栅极结构，第二栅极结构形成在第二有源部分之上以及第二源极区与第二漏极区之间，其中第一有源部分具有与第二有源部分的材料组成不同的材料组成。
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公开(公告)号：CN111129008A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043412.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252 , H03K17/687
Abstract: 本揭露实施例公开包括具有不同栅极堆叠材料的晶体管的装置及电路以及其制作方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包括衬底、形成在衬底之上的沟道层、形成在沟道层之上的第一晶体管以及形成在沟道层之上的第二晶体管。第一晶体管包括第一源极区、第一漏极区、第一栅极结构及位于所述第一栅极结构之下的第一极化调制部分，且第二晶体管包括第二源极区、第二漏极区、第二栅极结构及位于第二栅极结构之下的第二极化调制部分，其中第一极化调制部分由与第二极化调制部分的材料不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN104835780B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410332555.6
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/48
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32134 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/7851
Abstract: 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和金属栅极。金属栅极包括金属填充层并设置在衬底上方。半导体结构还包括金属填充层上方的介电材料并且将金属填充层与导电线路间隔开。导电线路位于介电材料上方。半导体结构还包括纵向延伸穿过介电材料并且沿着横向方向终止于金属填充层内部的横向侵蚀部的导电塞。横向方向基本垂直于导电塞的纵向方向。
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