公开(公告)号：CN116682806A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310247159.2

申请日：2023-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  游本杰 ,  陈建宏 ,  谢正祥

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括晶体管，所述晶体管包括：多个层，其中所述多个层中的每一个均具有至少一种III族‑V族化合物材料；栅电极，可操作地连接至所述多个层中的至少一层；源电极，设置在栅电极的第一侧；漏电极，设置在栅电极的第二侧；场板，设置在栅电极与漏电极之间；多根导线，设置在栅电极、源电极和漏电极上方。该半导体器件还包括多个测试结构，其中，包括第一金属图案和第二金属图案的每个测试结构模拟栅电极、源电极、漏电极、场板中的至少一个或多根导线中的至少一根。本发明的实施例还提供了一种测试半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN118522750A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410509714.9

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏 ,  游本杰 ,  谢正祥

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开的各个实施例涉及包括多个类场板(QFP)的半导体器件，用于增强晶圆均匀性和性能。沟道层和阻挡层堆叠在衬底上，并且沟道层容纳二维载气(2DCG)。源电极、漏电极和栅电极置于沟道层和阻挡层上面，并且所述栅电极在第一方向上位于所述源电极与所述漏电极之间。多个QFP位于栅电极与漏电极之间。此外，所述多个QFP电容耦合至或直接电耦接至漏电极，并且在横向于第一方向的第二方向上成直线彼此横向间隔开。本申请的实施例还提供了集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN114664641A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110448281.7

申请日：2021-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈廷睿 ,  陈治棻 ,  游本杰 ,  谢东喜 ,  谢江河

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  G03F7/42

Abstract: 提供一种形成半导体构造的方法。所述方法包括在衬底的顶表面之上形成图案化光刻胶。所述方法包括使用图案化光刻胶对衬底的第一部分进行掺杂。所述方法包括使用包含氟化物的气体移除图案化光刻胶，其中在移除图案化光刻胶之后，来自气体的氟化物残留物存留在衬底的顶表面上。所述方法包括使用一氧化二氮对衬底进行处理，以移除氟化物残留物。