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公开(公告)号：CN102507148B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110314085.7
申请日：2011-10-17
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种多象限探测器检测系统，由激光发射系统发射出的激光信号经过发射光学系统的整形照射在多象限探测器上和视频处理系统上，由视频处理系统检测激光光斑在多象限探测器上的位置，监视系统反馈给观测者其在探测器上的位置，由多维调节架调整多象限探测器，使其照射到合适的位置，用精密角度调节机构调整光斑照入射到多象限探测器上的角度。旋转机构带动多象限探测器转动，通过信号传输系统将多象限探测器信号由信号接收系统输入计算机。此测试系统能够模拟多象限探测器的实际工作状况，即可实现多象限探测器的动态测量与不同角度的测量，能够检测出多象限探测器中不符合要求的产品，为以多象限探测器所组成的系统的准确性提供了保障。
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公开(公告)号：CN102564733A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010606529.X
申请日：2010-12-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种紫外像增强器分辨力测试装置，两个球面反射镜和两个平面反射镜成一条直线放置在底座上，两个平面反射镜分别放置在两个球面反射镜的焦点处，构成同轴反射式光学系统，分辨力靶标放置在该同轴反射式光学系统的焦点处，光源放置在分辨力靶标的后方，毛玻璃位于分辨力靶标和紫外光源之间，像增强器放置在多维调节台上，多维调节台上装有显微镜，可以观察分辨力靶标的荧光屏像；根据测试需要，选择好分辨力靶标，将像增强器移至光学系统的焦面处，即可得到紫外像增强器的分辨力。本发明的外形尺寸和体积小巧，装调方便，并且减小了紫外目标在大气中的传输距离，像差的影响大大减小，在短焦距条件下能获得清晰的图像。
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公开(公告)号：CN101685739B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810157193.6
申请日：2008-09-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于真空系统中的热电子面发射源。它主要采用灯座、灯丝、灯丝接线柱、电子散射网、接线柱频蔽盘、底座频蔽盘构成第一阳极，以相互绝缘方式在热电子面发射源的外壳中加入套筒构成第二阳极，有效改变了电子轨迹，发射的电子经过电场加速后，形成的高能电子束分布可通过改变电位状况进行控制；本发明还采用钽丝将灯丝绕成平面螺旋形状，该形状的灯丝不但能产生均匀的高能电子束，还能完成高能电子束的均匀、汇聚和淹没，实现对荧光屏均匀性、发光效率和余辉等参数检测，尤其是均匀性检测，误差小于±0.05；本发明一机多用，结构简单，加工容易，能完全满足荧光屏各参数的测试。可广泛用于各种像增强器上荧光屏的质量检测。
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公开(公告)号：CN101858779A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910029360.3
申请日：2009-04-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明的一种远场激光功率分布测量器，包括靶子系统和瞄准系统，靶子系统包括低反射靶板、探测器阵列、靶板中心指示器、瞄准望远镜、光学装置、数据采集系统、计算机处理系统；光学装置均匀排列在低反射靶板上，构成探测器阵列，靶板中心指示器设置在低反射靶板中心位置，瞄准望远镜设置在低反射靶板的正上方；瞄准系统包括长焦镜头的CCD成像装置，可拆卸的波长为532nm的滤光片，监视器，多维平移台；长焦镜头的CCD成像装置设置在多维平移台上方，可拆卸的波长为532nm的滤光片设置在长焦镜头的CCD成像装置前方。本发明的远场激光功率分布测量器可靠性高、测量精确、功能齐全、操作简便。
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公开(公告)号：CN1363825A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01113605.7
申请日：2001-05-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种光电阴极多信息量测试系统。由前端设备、信号检测模块、计算机及接口模块组成。单色光反射比及单色光电流测试光源发出的光经传光系统引向光电阴极表面,反射光经该传光系统引向光电探测器产生电信号,光电阴极产生单色光电流信号,输入计算机;光谱响应测试光源发出的光进入光栅单色仪,经传光系统引向光电阴极,产生的电流信号,输入计算机。本发明既可以用于多碱阴极的在线测试,又可以用于NEA光电阴极的在线测试,测试波长的间隔点可调,测试时间短,测试灵活易行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119993804A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510004068.5
申请日：2025-01-02
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了光电倍增管透射式三碱光电阴极制备系统及制备方法，属于光电倍增管技术领域，制备该阴极的碱源包括两种，分别为K源、Rb/Cs混合源。阴极制备过程中，首先在玻璃衬底上蒸镀一层增透膜，随后依次对K、Sb、K、Rb/Cs进行四步激活，通过调整Rb/Cs混合源中Rb、Cs的比例可以精确的控制阴极中Rb和Cs的占比，从而使制备的三碱光电阴极在不影响高量子效率的基础上达到低噪声的特性。
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公开(公告)号：CN118610293A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410708802.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种微纳透射式GaAs光阴极组件及其制备方法、像增强器、成像传感器。所述微纳透射式GaAs光阴极组件包括玻璃、SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层、GaAs发射层及激活层依次叠加，SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层之间通过Si3N4填充介质填充。本发明给出了完整的具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的新型透射式GaAs光阴极组件的制备工艺流程，该工艺流程同时兼容了传统的反转工艺和新兴的微纳加工技术，能够得到具备形貌完整、周期性良好的微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的响应增强型透射式GaAs光阴极组件。应用本发明具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的透射式GaAs光电阴极组件的像增强器与EBCOMS成像传感器，其光谱响应有明显提升。
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公开(公告)号：CN118134799A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410245994.7
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的EBAPS低照度图像降噪方法及系统，包括如下步骤：步骤1、获取4帧连续的输出图像序列；步骤2、根据图像序列在时间方向上的分布情况，分别确定适用于各图像帧的局部滤波窗口大小；步骤3、根据窗口大小，确定各窗口尺寸下的局部滤波核；步骤4、根据局部滤波核，对各帧的图像点逐一做卷积操作，选取图像点在各帧下的最优滤波输出值作为初步滤波结果；步骤5、根据自适应融合函数对各帧下的滤波结果进行融合，根据各图像点的融合结果得到最终降噪后的图像。本发明具有良好的降噪效果和实时性。
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公开(公告)号：CN117577495A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311633298.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种反射式多碱光电阴极及其制备方法，属于光电倍增管技术领域，该阴极包括镍基铝膜衬底层、石墨烯薄层和多碱发射层。首先在镍基铝膜衬底层上生长一层石墨烯薄层，其次以石墨烯为基底镀金属锑膜层，最后对金属锑进行Na、K、K‑Na、Cs四步碱金属激活，由此制得反射式多碱光电阴极。石墨烯的高热稳定特性可有效隔离衬底层与发射层，避免高温环境镍、铝与锑合金化造成的发射层损耗；石墨烯与多碱阴极具有较高兼容性，可以增强衬底对光的反射，提高发射层的长波响应。本发明能获得高阴极灵敏度，热稳定性强的反射式多碱光电阴极。
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公开(公告)号：CN115050620A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210783689.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的GaAs衬底层、GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs阻挡层、AlyGa1‑yAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层；所述AlyGa1‑yAs光电发射层自下而上包括AlyGa1‑yAs基底层以及通过刻蚀AlyGa1‑yAs发射层构造的纳米结构阵列。本发明采用的纳米结构阵列为若干等间距分布的圆柱或方柱结构阵列，通过调整纳米结构的尺寸、形状和排列周期，可实现光电阴极组件整体对532nm波长处的吸收率的提高，从而提高反射式AlGaAs光电阴极在532nm波长处的量子效率。
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