公开(公告)号：CN117766357A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311796134.4

申请日：2023-12-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王自衡 ,  张锴珉 ,  马忻狄 ,  蒋煜 ,  童泽昊 ,  刘晓荣 ,  钱芸生

IPC: H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法，即在超高真空阴极激活系统中进行的单次阴极激活过程中，共同使用Cs源、NF3源和O源完成GaAs基光电阴极的表面激活操作，该混合激活方法具有提高GaAs基光电阴极稳定性和光谱响应性能的效果。这一新型的混合激活方法包括了以下步骤：1、对GaAs、InGaAs和AlGaAs等GaAs基类的光电阴极进行表面清洗；2、转移样品至超高真空系统中并进行高温净化，使样品达到原子级清洁表面；3、采用白光光源对阴极样品进行Cs/NF3激活；4、Cs/NF3激活结束后关闭NF3源，立即进行两次Cs/O交替激活，当光电流达到最高点时关闭Cs源和O源结束激活。通过上述方式，本发明可以得到阴极稳定性更好、光谱响应更高的GaAs基光电阴极。

公开(公告)号：CN119993804A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510004068.5

申请日：2025-01-02

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  刘晓荣 ,  郭涛 ,  韩允锋 ,  金睦淳 ,  钱芸生

IPC: H01J9/12 ,  H01J43/08

Abstract: 本发明公开了光电倍增管透射式三碱光电阴极制备系统及制备方法，属于光电倍增管技术领域，制备该阴极的碱源包括两种，分别为K源、Rb/Cs混合源。阴极制备过程中，首先在玻璃衬底上蒸镀一层增透膜，随后依次对K、Sb、K、Rb/Cs进行四步激活，通过调整Rb/Cs混合源中Rb、Cs的比例可以精确的控制阴极中Rb和Cs的占比，从而使制备的三碱光电阴极在不影响高量子效率的基础上达到低噪声的特性。

公开(公告)号：CN118610293A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410708802.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  李诗曼 ,  童泽昊 ,  蒋煜 ,  唐嵩 ,  刘晓荣 ,  马忻狄 ,  张俊举 ,  钱芸生

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出了一种微纳透射式GaAs光阴极组件及其制备方法、像增强器、成像传感器。所述微纳透射式GaAs光阴极组件包括玻璃、SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层、GaAs发射层及激活层依次叠加，SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层之间通过Si3N4填充介质填充。本发明给出了完整的具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的新型透射式GaAs光阴极组件的制备工艺流程，该工艺流程同时兼容了传统的反转工艺和新兴的微纳加工技术，能够得到具备形貌完整、周期性良好的微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的响应增强型透射式GaAs光阴极组件。应用本发明具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的透射式GaAs光电阴极组件的像增强器与EBCOMS成像传感器，其光谱响应有明显提升。

公开(公告)号：CN117577495A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311633298.5

申请日：2023-12-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王麒铭 ,  刘晓荣 ,  钱芸生 ,  王兴超 ,  金睦淳 ,  王亮

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种反射式多碱光电阴极及其制备方法，属于光电倍增管技术领域，该阴极包括镍基铝膜衬底层、石墨烯薄层和多碱发射层。首先在镍基铝膜衬底层上生长一层石墨烯薄层，其次以石墨烯为基底镀金属锑膜层，最后对金属锑进行Na、K、K‑Na、Cs四步碱金属激活，由此制得反射式多碱光电阴极。石墨烯的高热稳定特性可有效隔离衬底层与发射层，避免高温环境镍、铝与锑合金化造成的发射层损耗；石墨烯与多碱阴极具有较高兼容性，可以增强衬底对光的反射，提高发射层的长波响应。本发明能获得高阴极灵敏度，热稳定性强的反射式多碱光电阴极。