公开(公告)号：CN117577495A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311633298.5

申请日：2023-12-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王麒铭 ,  刘晓荣 ,  钱芸生 ,  王兴超 ,  金睦淳 ,  王亮

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种反射式多碱光电阴极及其制备方法，属于光电倍增管技术领域，该阴极包括镍基铝膜衬底层、石墨烯薄层和多碱发射层。首先在镍基铝膜衬底层上生长一层石墨烯薄层，其次以石墨烯为基底镀金属锑膜层，最后对金属锑进行Na、K、K‑Na、Cs四步碱金属激活，由此制得反射式多碱光电阴极。石墨烯的高热稳定特性可有效隔离衬底层与发射层，避免高温环境镍、铝与锑合金化造成的发射层损耗；石墨烯与多碱阴极具有较高兼容性，可以增强衬底对光的反射，提高发射层的长波响应。本发明能获得高阴极灵敏度，热稳定性强的反射式多碱光电阴极。

公开(公告)号：CN115050620A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210783689.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  唐嵩 ,  李诗曼 ,  王东智 ,  王自衡 ,  王麒铭 ,  张锴珉 ,  钱芸生

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提出了一种纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的GaAs衬底层、GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs阻挡层、AlyGa1‑yAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层；所述AlyGa1‑yAs光电发射层自下而上包括AlyGa1‑yAs基底层以及通过刻蚀AlyGa1‑yAs发射层构造的纳米结构阵列。本发明采用的纳米结构阵列为若干等间距分布的圆柱或方柱结构阵列，通过调整纳米结构的尺寸、形状和排列周期，可实现光电阴极组件整体对532nm波长处的吸收率的提高，从而提高反射式AlGaAs光电阴极在532nm波长处的量子效率。

公开(公告)号：CN116631826A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310585469.5

申请日：2023-05-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  唐嵩 ,  王麒铭 ,  韩允峰 ,  蒋煜 ,  童泽昊 ,  张锴珉 ,  李诗曼 ,  王东智 ,  钱芸生

IPC: H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 本发明提出了一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法，依次包括表面清洁过程、铯氧激活过程以及铯氧再激活过程。铯氧激活过程中GaAs光电阴极被白光照射、铯氧再激活过程中阴极面被近红外光照射。被光照激发、逸出的光电子由监测系统收集，激活过程中阴极表面的反应通过光电流的变化实时反馈。通过控制外接电流源经过铯、氧源的电流大小调节铯、氧源通电放气量。本发明在传统GaAs光电阴极的Cs/O激活方法的基础上，通过近红外光光照下的Cs/O再激活过程显著提高了GaAs光电阴极对近红外波段光信号的响应能力，同时实现了GaAs光电阴极在其整个工作波段内光谱响应的提高。