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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116631825A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310585496.2
申请日：2023-05-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种532nm激光驱动的响应增强型光阴极电子源，该光阴极包括自下而上的GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构层、AlyGa1‑yAs缓冲层、AlzGa1‑zAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层，其中分布式布拉格反射镜结构层由10～30对AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层组成。本发明通过引入分布式布拉格反射镜结构，实现了减薄发射层厚度以提高时间响应速率的目的；同时调整分布式布拉格反射镜AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层的层数、层厚以及Al组分值x，实现了光阴极在532nm波长处光吸收的增强和量子效率的提升。
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公开(公告)号：CN115050620A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210783689.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的GaAs衬底层、GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs阻挡层、AlyGa1‑yAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层；所述AlyGa1‑yAs光电发射层自下而上包括AlyGa1‑yAs基底层以及通过刻蚀AlyGa1‑yAs发射层构造的纳米结构阵列。本发明采用的纳米结构阵列为若干等间距分布的圆柱或方柱结构阵列，通过调整纳米结构的尺寸、形状和排列周期，可实现光电阴极组件整体对532nm波长处的吸收率的提高，从而提高反射式AlGaAs光电阴极在532nm波长处的量子效率。
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公开(公告)号：CN114441478A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210364279.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调宽波段激光的晶体双折射测试系统，包括激光器、光路单元、电信号处理单元、数据处理单元；本发明采用相位延迟变化量作为晶体应力双折射的衡量指标，利用能够实时比较出晶体加压时和非加压时双折射相位延迟量偏差程度的光路单元，结合电信号处理单元和数据处理单元实现同时测量不同波段激光照射下的加压和非加压两种状态下的晶体材料光弹系数，实现宽波段可调激光下晶体差值压力状态与非加压状态下的双折射测量和相位延迟量偏差程度比较。本发明测量精度高，结构简单，容易实现，有效弥补了现有技术中晶体材料在加压条件下进行应力双折射测试的空白。
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公开(公告)号：CN116631826A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310585469.5
申请日：2023-05-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法，依次包括表面清洁过程、铯氧激活过程以及铯氧再激活过程。铯氧激活过程中GaAs光电阴极被白光照射、铯氧再激活过程中阴极面被近红外光照射。被光照激发、逸出的光电子由监测系统收集，激活过程中阴极表面的反应通过光电流的变化实时反馈。通过控制外接电流源经过铯、氧源的电流大小调节铯、氧源通电放气量。本发明在传统GaAs光电阴极的Cs/O激活方法的基础上，通过近红外光光照下的Cs/O再激活过程显著提高了GaAs光电阴极对近红外波段光信号的响应能力，同时实现了GaAs光电阴极在其整个工作波段内光谱响应的提高。
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公开(公告)号：CN114441478B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210364279.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调宽波段激光的晶体双折射测试系统，包括激光器、光路单元、电信号处理单元、数据处理单元；本发明采用相位延迟变化量作为晶体应力双折射的衡量指标，利用能够实时比较出晶体加压时和非加压时双折射相位延迟量偏差程度的光路单元，结合电信号处理单元和数据处理单元实现同时测量不同波段激光照射下的加压和非加压两种状态下的晶体材料光弹系数，实现宽波段可调激光下晶体差值压力状态与非加压状态下的双折射测量和相位延迟量偏差程度比较。本发明测量精度高，结构简单，容易实现，有效弥补了现有技术中晶体材料在加压条件下进行应力双折射测试的空白。
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