公开(公告)号：CN106252210A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610603245.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张昊 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/2053 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了一种利用盖帽层退火结晶的多晶硅制备方法。本发明采用在非晶硅薄膜上淀积盖帽层，由于再结晶过程的成核活化点优先在接触面处形成，因而盖帽层的引入使得成核活化点形成概率大大提高，成核活化点增多，利于晶粒长大进行重排与重组；再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸明显变大，内部缺陷减少，与直接淀积多晶硅薄膜结晶相比，效果更好；由于再结晶过程中盖帽层将晶粒限制在表面方向生长，得到的多晶硅薄膜的表面粗糙度极大地降低；晶格更加有序，能在垂直方向形成与非晶硅薄膜的厚度尺寸相当的大晶粒；本发明与体硅CMOS工艺完全相兼容，工艺简单，成本代价小，适用于三维集成。

公开(公告)号：CN106229257A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610649282.7

申请日：2016-08-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  黄如

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/225

Abstract: 本发明公布了一种分子层掺杂方法，包括：去除待掺杂结构表面的沾污和自然氧化层，露出待掺杂结构表面的氢键；在待掺杂结构表面覆盖一层含杂质元素的有机分子，该有机分子与待掺杂结构表面形成共价键结合，作为掺杂的杂质源；淀积盖帽层，以达到防止退火时杂质元素外扩散的目的；通过退火使有机分子中的杂质元素进入待掺杂结构，形成超陡峭的掺杂梯度和超浅结深；去除有机分子和盖帽层；由此制备得到集成电路中超陡峭掺杂梯度和超浅结深的器件，具有更高的掺杂浓度和杂质激活率，可大大放宽对后续退火工艺的要求，工艺简单，成本代价小，能够满足小尺寸器件中实现超陡峭掺杂梯度和超浅结深的要求。

公开(公告)号：CN106098783A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610694855.8

申请日：2016-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该场效应晶体管的侧壁沟道层厚度和顶部沟道层厚度均在10nm以下，且在远离顶栅控制的深体区形成了鳍型隔离条，本发明有利于器件沟长的进一步缩小，可有效提高器件的短沟道效应控制能力，减小了静态功耗。此外本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106057682A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610648293.3

申请日：2016-08-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明提供一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法，该方法结合刻蚀通孔、外延沟道材料的集成，制备了上有源区空气侧墙结构。与传统的二氧化硅或氮化硅侧墙结构相比，由于空气的相对介电常数为1，可以极大地减小栅极与上有源区之间的寄生电容，且将上有源区作为器件的漏端，优化漏端的寄生电容，能极大地改善器件的频率特性；同时本发明将下有源延伸区重掺杂，作为器件的源端，能减小源端电阻，减少器件开态电流的退化，而上有源延伸区是由沟道一侧轻掺杂过渡到上有源区一侧的重掺杂，可以减小漏端电场对沟道区的穿透，同时又维持了较低的漏端电阻。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单、成本代价小。

公开(公告)号：CN103292747B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310187691.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李佳 ,  黎明 ,  樊捷闻 ,  杨远程 ,  宣浩然

IPC: G01B11/30

Abstract: 本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集经过散射的光束，将光束转化为电信号输出；根据该电信号计算得到表面粗糙度。本发明的方法解决了其他测量仪器无法测量垂直侧墙粗糙度这一问题，有利于半导体制备工艺中纳米线条制备的表征，对集成电路制备工艺研究有重要意义。本发明的装置结构简单，成本低。测量系统组成仪器简单易购买，光学系统测量，无需使用探针，没有消耗配件，成本相对较低。

公开(公告)号：CN105206575A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510657573.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  陈珙 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345

Abstract: 本发明公开了一种多种金属栅的集成方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法基于后栅工艺“逐次剥离”，采用剥离工艺实现多种金属栅的集成方法，相比TakashiMatsukawa等的“淀积—退火合金”方法，本方法无附加热预算，提高了工艺的均匀性和可控性；且降低了刻蚀损伤，降低了工艺难度，扩大了材料的选择范围。

公开(公告)号：CN104332442A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410616327.1

申请日：2014-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  黎明 ,  安霞 ,  赵阳 ,  张冰馨 ,  刘朋强 ,  夏宇轩 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。

公开(公告)号：CN104282575A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410502998.5

申请日：2014-09-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  杨远程 ,  宣浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，属于大规模集成电路制造技术领域。该方法的核心是在SOI衬底上外延生长制备纳米尺度场效应晶体管，本发明利用外延工艺可以精确控制纳米尺度器件沟道的材料、形貌，进一步优化器件性能；其次，通过实现不同的沟道掺杂类型和掺杂浓度，可以灵活的调整阈值电压以适应不同IC设计的需要；且可以获得高度方向上宽度一致的栅结构，减小器件的寄生和涨落，同时又能够很好的与CMOS后栅工艺兼容，流程简单，成本较低，可应用于未来大规模半导体器件集成中。

公开(公告)号：CN103151254A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084986.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：CN102903625A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。