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公开(公告)号：CN114711733A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210632256.9
申请日：2022-06-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种脉搏信号提取方法、装置、电子设备及存储介质，涉及脉搏信号技术领域。通过对在变化压力下采集得到的初始脉搏信号进行去噪，通过滤除多种噪声而得到的滤波脉搏信号，进而对滤波脉搏信号进行处理得到的中脉、浮脉以及沉脉，可通过本发明提供的脉搏提取方法为后续的脉搏信号的分析人员减少了对脉搏信号数据的分析处理量，通过将得到的浮脉、中脉、沉脉对脉搏信号更具体精细化处理，进一步提高脉搏信号提取的精确性以及效率性。
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公开(公告)号：CN111697048A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910187276.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/04 , H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法。该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为 ，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET器件中产生的氧化层陷阱电荷密度和界面态密度更低，从而减少总剂量辐照对FinFET器件的影响，提高FinFET器件抗总剂量辐照性能。
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公开(公告)号：CN106290475B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610624865.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种自选择修饰的纳米线生物传感器及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子具有优异的自选择性，只会特异性地与纳米线沟道表面的‑OH基团成键，对于修饰窗口内其他无‑OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；背面电极的引入可以实现对纳米线沟道的电势状态的调整，以实现最灵敏的感知；完全和与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN118036008A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410446322.2
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种恶意文件伪装检测方法。该方法包括：在进行恶意文件防护时，利用规则库匹配、小模型相似度匹配和大模型相似度匹配对至少一个待检测文件依次进行第一检测、第二检测和第三检测；基于所述第一检测的结果和/或所述第二检测的结果和/或所述第三检测的结果，对所述至少一个待检测文件进行恶意文件伪装的判断，由此，通过规则库匹配到小模型相似度匹配到大模型相似度匹配的精准链路，逐级筛查，提高检出效率。
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公开(公告)号：CN106298936A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610676889.4
申请日：2016-08-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L29/78 , H01L29/41725 , H01L29/42316 , H01L29/66409
Abstract: 本发明提供一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明由于采用倒梯形栅结构，其栅控能力位于三栅和围栅之间，使得倒梯形顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺制备抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106290525A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610630848.1
申请日：2016-08-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 本发明公开了一种带正面栅极调控的纳米线生物传感器件及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器件包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子特异性地与纳米线沟道表面的-OH基团成键，对于修饰窗口内其他无-OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；正面栅电极的引入，施加适当的偏置电压，使得纳米线沟道处于亚阈区，灵敏度最高，信号强度最大；完全与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN106290475A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610624865.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种自选择修饰的纳米线生物传感器及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子具有优异的自选择性，只会特异性地与纳米线沟道表面的-OH基团成键，对于修饰窗口内其他无-OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；背面电极的引入可以实现对纳米线沟道的电势状态的调整，以实现最灵敏的感知；完全和与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN106290525B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610630848.1
申请日：2016-08-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种带正面栅极调控的纳米线生物传感器件及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器件包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子特异性地与纳米线沟道表面的‑OH基团成键，对于修饰窗口内其他无‑OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；正面栅电极的引入，施加适当的偏置电压，使得纳米线沟道处于亚阈区，灵敏度最高，信号强度最大；完全与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN105374752B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510701681.9
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823885 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L29/0676 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能够精确地控制器件沟道的截面积大小和形貌，提高器件的特性的一致性；避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN106611704A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510702268.4
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28518
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为：1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备，且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量，以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物，工艺可控性高；形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点；对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
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