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公开(公告)号：CN101764197B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810240935.1
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，该步工艺中的侧墙材料是光刻胶，然后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中。钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，而且可以在进行金属剥离过程时同步实现光刻胶侧墙身上的金属的剥离，缩减了工艺步骤，具有很大的优越性。
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公开(公告)号：CN102050427A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237086.9
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在该侧墙材料层的该条边的金属上覆盖一条制作纳流通道的抗腐蚀绝缘材料层；最后去除侧墙材料层，同时剥离掉侧墙身上的金属层和抗腐蚀绝缘材料层，形成两侧埋有金属的通道；在通道两侧金属层上方开孔，引出两端电极即形成纳流体测试器件。
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公开(公告)号：CN101976726A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010263081.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤5：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤6：在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料；步骤7：在相变材料上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。
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公开(公告)号：CN101924119A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010256816.2
申请日：2010-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱。
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公开(公告)号：CN101794862A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113827.5
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极；步骤5：在第二金属层上淀积第二绝缘材料层；步骤6：用化学机械抛光的方法抛光表面，同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接，形成环形的加热电极；步骤7：最后淀积相变材料和顶部电极，引出电极即可形成垂直相变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355118A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710119473.3
申请日：2007-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
Abstract: 一种光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法，包括：依次在衬底外延生长N－GaN层、有源层、P－GaN层；在其上沉积一层掩蔽层，涂光刻胶，并刻出N－GaN电极区域；在N－GaN电极区域上刻蚀，形成N－GaN电极区；去除剩余掩蔽层，清洗；在P－GaN层和N－GaN电极区上同时制备出透明导电膜，剥离得到P－GaN和N－GaN透明导电电极；在其上光刻出P－GaN和N－GaN电极金属压焊区域，在其上同时用电子束分步蒸发，得到P－GaN和N－GaN电极金属压焊区；光刻出增透膜区域并制备增透膜；将衬底背面减薄，抛光，制作反射镜；划片，封装，测试，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN118859379A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310473493.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 本公开提供了一种极紫外超透镜结构及电子设备。其中，该极紫外超透镜结构包括基底层以及超表面层，基底层用于作为极紫外超透镜结构的支撑结构；超表面层设置在基底层上，设置有基于几何相位原理分布的纳米孔结构单元阵列，以通过改变纳米孔结构单元阵列中的每个纳米孔结构单元的分布旋转角实现改变出射极紫外光束的相位。
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公开(公告)号：CN117930398A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410129441.5
申请日：2024-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开涉及一种高深宽比的纳米压印超透镜结构及其制备方法和应用。该高深宽比的纳米压印超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列；形成于该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列上的薄膜材料层；其中，该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列及其上的该薄膜材料层构成复合微纳结构阵列，该复合微纳结构阵列能够实现0‑2π相位覆盖，以完全调控波前，实现对紫外光、可见光和红外光波段进行聚焦成像的纳米压印超透镜结构。利用本发明，解决了现有短波长波段超透镜制作成本高、工艺复杂和难以实现大面积的问题。
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公开(公告)号：CN111362225B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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公开(公告)号：CN117192657A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091231.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于空间分区复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层；该超透镜结构材料层分布有三种基于空间分区复用并满足几何相位原理的纳米结构单元阵列，第一纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1的圆形区域，用于对RGB入射光中的蓝光B进行聚焦；第二纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1与R2之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的绿光G进行聚焦；第三纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R2与R3之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的红光R进行聚焦；第一至第三纳米结构单元阵列的焦距或焦点一致。利用本发明，解决了现有消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。
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