-
公开(公告)号:CN112310157A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010716312.8
申请日:2020-07-23
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本申请涉及薄膜晶体管、显示面板和制造显示面板的方法。该显示面板包括:基层;第一薄膜晶体管,在基层上;第二薄膜晶体管,电联接至第一薄膜晶体管;以及发光元件,电联接至第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括在基层上的第一半导体图案、在第一半导体图案上且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第一阻挡图案、以及在第一阻挡图案上且与第一半导体图案重叠的第一控制电极。因此,可以改善显示面板的信号传输速度,并且可以改善显示面板中所包括的薄膜晶体管的电特性和可靠性。
-
公开(公告)号:CN112310151A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010691419.1
申请日:2020-07-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32 , G09G3/3233
Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的像素,其中,像素包括:发光元件;驱动晶体管,被构造为根据从数据线施加的数据电压控制供应到发光元件的驱动电流;以及第一开关晶体管,被构造为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括:第一有源层,包括氧化物半导体;以及第一氧化物层,设置在第一有源层上并且包括氧化物半导体。第一开关晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,第一氧化物层不设置在第二有源层上。
-
公开(公告)号:CN112242120A
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN202010672870.9
申请日:2020-07-14
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , H01L27/32
Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素,其中,像素包括发光元件、配置成根据从数据线接收到的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的驱动晶体管以及配置成根据施加到扫描线的扫描信号来将数据线的数据电压施加到驱动晶体管的第一开关晶体管,其中,驱动晶体管包括具有氧化物半导体的第一有源层以及位于第一有源层上并且包括氧化物半导体的第一氧化物层,以及其中,第一开关晶体管包括位于第一有源层上并且包括与第一氧化物层相同的氧化物半导体的第二有源层。
-
公开(公告)号:CN111063307A
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201910977252.2
申请日:2019-10-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3258 , H01L27/32
Abstract: 提供了一种有机发光显示装置以及一种驱动该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置可以包括显示面板、源极驱动电路和电压发生器。显示面板可以包括包含用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管的像素电路。驱动晶体管可以具有包括第一栅电极和第二栅电极的四个独立端子。源极驱动电路可以将数据电压提供到像素电路。电压发生器可以将独立偏置电压施加到驱动晶体管的第二栅电极,以控制驱动晶体管的驱动电压范围。
-
公开(公告)号:CN111048554A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201910956618.8
申请日:2019-10-10
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括基底、第一半导体元件、第二半导体元件、保护电极和发光结构。保护电极设置在第二有源层与第二源电极之间以及有源层与第二漏电极之间,并且具有暴露第二有源层的一部分的开口,发光结构设置在第一半导体元件和第二半导体元件上。
-
公开(公告)号:CN107819038A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201710817570.3
申请日:2017-09-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/788 , H01L2227/323 , H01L29/786 , H01L29/43
Abstract: 提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括:半导体层,包括沟道部、第一接触部和第二接触部;栅电极,面对浮置栅极;浮置栅极,设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。
-
公开(公告)号:CN107799603A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710790406.8
申请日:2017-09-05
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L2029/42388 , H01L27/124 , H01L29/78627 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管,所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
-
公开(公告)号:CN221598580U
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202323218639.0
申请日:2023-11-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/124 , H10K59/123 , H10K59/12 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;钝化层,设置在基底上;金属氧化物层,设置在钝化层上;第一电极,设置在金属氧化物层上;像素限定层,覆盖第一电极的边缘部分和金属氧化物层,并且划分发光区域;有机层,设置在第一电极和像素限定层上;以及第二电极,设置在有机层上,其中,像素限定层的侧面比金属氧化物层的侧面向外突出,并且有机层的至少一部分在像素限定层的侧面与钝化层之间的点处断开。所述显示装置可以通过降低截止电流(或漏电流)来改善颜色混合。
-
公开(公告)号:CN218896637U
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202223356614.2
申请日:2022-12-12
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:绝缘层、发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包括:金属氧化物半导体图案,包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区;第一栅极,设置在金属氧化物半导体图案上,并且在平面图中与沟道区叠置;以及金属氧化物图案,设置在第一栅极上。显示装置的第一晶体管可以具有宽驱动电压范围。
-
公开(公告)号:CN220189225U
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202222552973.9
申请日:2022-09-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233
Abstract: 提供了显示装置的像素。该像素包括发光元件、第一晶体管至第三晶体管、第六晶体管至第七晶体管、第九晶体管和第一电容器。第一晶体管连接在第一电力与第二节点之间,并且控制供给到发光元件的驱动电流。第一电容器包括连接到第一节点的一个电极和连接到第三节点的另一电极。第二晶体管连接在第三节点与数据线之间。第三晶体管连接在与第一晶体管的栅电极连接的第一节点与第二节点之间。第六晶体管连接在第一电力与连接到第一晶体管的一个电极的第五节点之间。第七晶体管连接在第二节点与连接到发光元件的阳极的第四节点之间。第九晶体管连接在第五节点与偏置电力之间。第六晶体管和第七晶体管以及第九晶体管的栅电极连接到相同的发射控制线。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-