公开(公告)号：CN119997750A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411592855.8

申请日：2024-11-08

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金根佑 ,  金相燮 ,  成范模 ,  孙暻锡 ,  申铉亿 ,  李善熙 ,  崔相虔 ,  洪泰贤

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/131 ,  H10K59/121 ,  H10K59/124 ,  H10K71/00

Abstract: 本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法。所述显示设备包括：基底；第一半导体层，设置在所述基底上并且包括第一有源部分、第二有源部分和第一掺杂部分；第一导电层，包括与所述第一有源部分重叠的第一导电图案；第二导电层，包括第二导电图案和第三导电图案，所述第二导电图案与所述第一导电图案重叠，并且所述第三导电图案通过第一接触孔连接到所述第一掺杂部分；第二半导体层，设置在所述第二导电层上并且包括上第一有源部分和第二掺杂部分；第三导电层，包括与所述上第一有源部分重叠的第一导电线；以及第四导电层，包括将所述第三导电图案电连接到所述第二掺杂部分的第四导电图案。

公开(公告)号：CN119384165A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411470126.5

申请日：2018-12-06

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  金明花 ,  金亿洙 ,  金兑相 ,  加纳正隆

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

Abstract: 提供了一种显示面板以及制造该显示面板的方法。所述制造显示面板的方法可以包括：在包括第一区域和第二区域的基体层上形成氧化物半导体图案；蚀刻第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以形成与第二区域叠置的第一凹槽；在第三绝缘层上形成电极；在第三绝缘层上形成第四绝缘层以覆盖电极；对第四绝缘层热处理；形成有机层以覆盖第四绝缘层；以及在有机层上形成有机发光二极管。

公开(公告)号：CN107799603B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN112420771A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010729414.3

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括弯折区，其中，弯折区包括穿过第一层间绝缘膜和第一栅极绝缘膜的弯折外围开口以及位于弯折外围开口中并且穿过第二层间绝缘膜和缓冲层以暴露衬底的弯折开口，弯折外围开口的第一侧壁包括第一层间绝缘膜的侧表面和第一栅极绝缘膜的侧表面，第二层间绝缘膜覆盖弯折外围开口的第一侧壁，弯折开口包括第二侧壁，其中，第二侧壁包括缓冲层的侧表面和第二层间绝缘膜的与缓冲层的侧表面对齐的侧表面的部分，并且第一通过层填充弯折开口。

公开(公告)号：CN105810751B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201610013502.7

申请日：2016-01-11

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 柳明官 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  崔昇夏 ,  金昭娟 ,  金贤 ,  朴恩惠 ,  朱炳焕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管基底和一种制造薄膜晶体管基底的方法。所述薄膜晶体管基底包括：栅电极；沟道层，与栅电极叠置；源电极，与沟道层叠置；漏电极，与沟道层和源电极叠置；以及间隔件，设置在源电极和漏电极之间。

公开(公告)号：CN111092103A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911004172.5

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  金明花 ,  金宰范 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。

公开(公告)号：CN110164918A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910111241.6

申请日：2019-02-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  金宰范 ,  文然建 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 有机发光显示设备，包括：基板、第一半导体元件、第二半导体元件、绝缘层结构、以及发光结构。基板具有第一区域和与第一区域邻接的第二区域。绝缘层结构设置在第二半导体元件的第二栅电极与第二有源层之间。绝缘层结构包括在相同蚀刻工艺中的具有第一蚀刻速率的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层上并具有小于第二蚀刻速率的第三蚀刻速率的第三绝缘层。发光结构设置在绝缘层结构上。

公开(公告)号：CN103296087A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310038706.2

申请日：2013-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  柳明官 ,  金兌相 ,  金炫奭 ,  朴晙晳 ,  宣钟白 ,  李相润

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。

公开(公告)号：CN111048554B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910956618.8

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明花 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00

Abstract: 提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括基底、第一半导体元件、第二半导体元件、保护电极和发光结构。保护电极设置在第二有源层与第二源电极之间以及有源层与第二漏电极之间，并且具有暴露第二有源层的一部分的开口，发光结构设置在第一半导体元件和第二半导体元件上。

公开(公告)号：CN117116951A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311108509.3

申请日：2017-09-01

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨 ,  林志勋

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  G09G3/3225

Abstract: 提供一种显示装置，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。