显示装置
    1.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114551526A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111353245.9

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一导电层,在基底上;钝化层,设置在第一导电层上,并且使第一导电层的至少一部分暴露;第二导电层,设置在钝化层上,并且覆盖钝化层的上表面;过孔层,在第二导电层上;第三导电层,包括第一电极、第二电极和连接图案,在过孔层上彼此间隔开;以及发光元件,具有分别设置在第一电极和第二电极上的端部。连接图案通过穿透过孔层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。

    显示装置及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113540163A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110313254.9

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 提供显示装置及其制造方法。显示装置包括:基板;第一栅电极,配置在基板上;缓冲层,配置在第一栅电极上;第一有源图案,配置在缓冲层上且与第一栅电极重叠;第二有源图案,配置在缓冲层上且与第一有源图案间隔开,且包括沟道区域及分别配置在沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域;源极图案和漏极图案,分别配置在第一有源图案的两端部上;第一绝缘图案,配置在源极图案与漏极图案之间的第一有源图案上;第二绝缘图案,配置在第二有源图案的沟道区域上;第一供氧图案,配置在第一绝缘图案上且向第一有源图案供给氧;第二供氧图案,配置在第二绝缘图案上且向第二有源图案供给氧;和第二栅电极,配置在第二供氧图案上。

    有机发光二极管显示装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110875335A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910697762.4

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 本公开涉及一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括基底、第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管以及子像素结构。所述基底具有包括多个子像素区域的显示区域和位于所述显示区域旁边的外围区域。所述第一氧化物晶体管设置在所述基底上的所述外围区域中,并且包括第一氧化物半导体图案,所述第一氧化物半导体图案包括锡(Sn)。所述第二氧化物晶体管设置在所述基底上的每个所述子像素区域中,并且包括第二氧化物半导体图案。所述子像素结构设置在所述第二氧化物晶体管上。

    显示装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112310151B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202010691419.1

    申请日:2020-07-17

    Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的像素,其中,像素包括:发光元件;驱动晶体管,被构造为根据从数据线施加的数据电压控制供应到发光元件的驱动电流;以及第一开关晶体管,被构造为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括:第一有源层,包括氧化物半导体;以及第一氧化物层,设置在第一有源层上并且包括氧化物半导体。第一开关晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,第一氧化物层不设置在第二有源层上。

    显示装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112771676B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN201980063011.5

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 显示装置包括:基体基底,包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域;第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管,布置在基体基底上并且分别包括第一有源图案至第三有源图案;第一像素电极至第三像素电极,分别电连接到第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管,并且分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域中;蓝色发光层,设置在第一像素电极至第三像素电极上,并且发射蓝光;第一颜色转换图案,在发光层上设置在第一子像素区域中;第二颜色转换图案,在发光层上设置在第二子像素区域中;以及红色滤色器层,设置在发光层与第一有源图案至第三有源图案之间。

    显示设备
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112563306B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202010972042.7

    申请日:2020-09-16

    Abstract: 本发明公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括:晶体管,包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极;电容器,包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极;以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中,并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。

    显示装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112117309B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202010568358.X

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 提供了一种显示装置。该显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的多个像素,其中,多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管,第一晶体管被配置为根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流,其中,第一晶体管包括第一有源层,第一有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体,并且其中,第一有源层的氧化物半导体中的铟的含量为70at%或更大。

    显示装置和制造显示装置的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113257870A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110167819.7

    申请日:2021-02-07

    Abstract: 本公开涉及一种显示装置和制造显示装置的方法,所述显示装置包括:基底;第一导电层,位于基底上并且包括第一信号线;绝缘层图案,位于述第一导电层上;半导体图案,位于绝缘层图案上;栅极绝缘层,位于半导体图案上;以及第二导电层,包括位于栅极绝缘层上的栅极电极、以及第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极,第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极各自位于半导体图案的至少一部分上,其中,绝缘层图案和半导体图案具有相同的平面形状,半导体图案包括与栅极电极重叠的沟道区、位于沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区和位于沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区,并且第一源极/漏极电极电连接第一源极/漏极区和第一信号线。

    显示装置
    10.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113161393A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110088930.7

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本公开涉及显示装置,根据本公开的实施例的显示装置包括:基底;第一导电层,位于所述基底上;第一绝缘层,位于所述第一导电层上;有源图案,位于所述第一绝缘层上,并且所述有源图案包括半导体材料;第二绝缘层,位于所述有源图案上;以及第二导电层,位于所述第二绝缘层上,其中,所述第一绝缘层具有暴露所述第一导电层的第一开口,所述第二绝缘层具有暴露所述第一导电层的第二开口,所述第一开口的宽度不同于所述第二开口的宽度,并且所述第一开口的侧表面和所述第二开口的侧表面被形成到所述第一导电层的顶表面。

Patent Agency Ranking