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公开(公告)号：CN115240606B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202210912255.X
申请日：2022-07-30
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提供了一种基于最大值法的两次背光修正区域动态调光方法，包括如下步骤：步骤1）：获得输入图像每一个像素点的亮度值，提取输入图像像素亮度值；步骤2）：按照物理背光灯珠排布进行图像虚拟分割；步骤3）：获得初始背光值；步骤4）：背光第一次修正；步骤5）：利用倍增模糊算法模拟背光在背光腔中投射扩散过程；步骤6）：将模拟投射扩散后的背光与输入图像像素亮度值进行对比求差异值，获得第二次背光修正值；步骤7）：将第一次修正后的背光值进行第二次修正，获得最终图像背光值。应用本技术方案可实现提高画面对比度的同时降低背光功耗。
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公开(公告)号：CN114141805B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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公开(公告)号：CN111785714B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
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公开(公告)号：CN117410399A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311425745.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属凸点阵列的可控制备及彩色Micro‑LED键合方法，采用电镀方法制备金属凸点阵列，通过改变电流密度调控金属凸点表面形貌，通过阴极旋转和电镀参数提高金属凸点高度均匀性；采用两次光刻，使电镀种子层的电连接桥梁沉积在第一光刻掩膜层上，并用第二光刻掩膜层定义金属凸点大小和形状，形成大小、形状和电学特性均匀的金属凸点阵列；采用上述制备方法分别在CMOS驱动基板和红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片制备具有不同高度的金属凸点阵列，通过三次键合分别把红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片键合在CMOS驱动基板上，形成彩色Micro‑LED显示阵列。该方法可在单位面积内实现更高的像素密度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN113937205B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116190410A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310222471.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。
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公开(公告)号：CN115863524A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211575973.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属微球自组装的Micro‑LED凸点阵列制备及键合方法，包括从下至上依次设置的Micro‑LED芯片基板或驱动背板、凸点下金属化层、Au薄膜、凸点间绝缘层、金属微球；本方案具有制备工艺简单，节省原材料等优点。
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公开(公告)号：CN114913783B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210585236.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F9/33 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。该方法有利于在确保发光亮度和均匀性的情况下，减少微米级LED背光源芯片的数量。
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公开(公告)号：CN114411124B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
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公开(公告)号：CN115346961A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210960149.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级金属凸点阵列键合测试结构，包括顶层模块和底层模块；所述顶层模块包括第一绝缘基板、第一图案化打底金属层、具有镂空孔阵列的第一透明介质层和第一微米级金属凸点；所述底层模块包括第二绝缘基板、第二图案化打底金属层、金属电极、具有镂空孔阵列的第二透明介质层和第二微米级金属凸点。本发明可以快速判断出微米级金属凸点的键合良率以及进行可靠性测试。
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