-
公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
-
公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
-
公开(公告)号：CN111834388A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
-
公开(公告)号：CN119446047A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411531760.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/32 , H10H29/24 , H10H29/851 , G09F9/33
Abstract: 本发明还提供了一种使用Micro‑LED实现超宽色域和高均匀度色彩的显示方法，每个显示像素含有一个或多个Micro LED芯片组合，使得能产生不仅是红色、绿色、和蓝色波长的光还能够产生青色和翡翠绿色光或更多种颜色波长的光，或这些颜色光的混合。显示像素呈现的颜色是通过特别的算法控制每个不同发光波长Micro LED芯片的电流和发光时间的组合来实现超宽色域和高均匀度色彩显示。所述的超宽色域显示显示是指显示色彩覆盖人眼视觉色域范围80%以上显示效果。所述高均匀度色彩通过每个像素里多个发光波长MicroLED芯片的多组混合发光组合颜色的方式来消除传统红绿蓝三基色方法里由于芯片发光波长在不同像素里不一致导致在不同像素呈现的色彩不一致的问题。
-
公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
-
公开(公告)号：CN115295541A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210163320.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , G09F9/33 , G09F9/302
Abstract: 本发明涉及一种相反极性并联的LED叠层组成的发光单元及显示器件，所述发光单元包括多层无机发光二极管LED层和具有多组电极的驱动基板，所述多层LED层在驱动基板垂直方向上堆叠放置且与驱动基板上的多组电极电性连接；所述多层LED层中包括至少两层相反极性并联的LED层，并通过驱动基板上的一组电极控制相反极性并联LED层发出至少两种不同颜色的光；所述显示器件包括阵列设置的多个像素，每个像素对应设有一个所述发光单元，所有发光单元的驱动基板为单独设置，或组合为若干个区域驱动基板，或组合为一个整体驱动基板。该发光单元及显示器件结构简单，工作效率高，像素密度高，工作寿命长。
-
公开(公告)号：CN114411124A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
-
公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
-
公开(公告)号：CN114411124B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.051 seconds)
