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公开(公告)号：CN112216507A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011060968.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无支撑高性能铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用，属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层，通过生长致密耐高温氧化保护层，防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化，在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜，最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉，获得了无支撑高性能铁氧体磁性薄膜。本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜，薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化，并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底，具有较高的经济效能；制得的无支撑高性能铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上，得到铁氧体微波器件、磁光器件和自旋波器件。
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公开(公告)号：CN109686807B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811579271.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控。
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公开(公告)号：CN111983530A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010707457.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 一种基于磁性绝缘体的平面自旋阀磁电阻传感器，包括基底，形成于基底之上的硬磁绝缘体和软磁绝缘体，硬磁绝缘体和软磁绝缘体之间采用石墨烯作为自旋流传输通道，形成于硬磁绝缘体和软磁绝缘体之上的非磁性重金属电极。本发明引入非磁重金属/石墨烯/磁性绝缘体结构，避免了石墨烯与磁性金属材料之间的电导失配问题而导致注入电流自旋极化率降低，在磁性绝缘体的情况下，电荷流无法流动仅自旋流可传播，使得功耗降低，采用在硬磁绝缘体单元上通入直流电流，由自旋霍尔效应产生纯自旋流通过石墨烯输运，被相邻的软磁绝缘体上的非磁重金属电极收集，可测量得到自旋霍尔磁电阻大小并探测外磁场方向。
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公开(公告)号：CN110029315B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910354441.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超晶格磁光材料技术领域，尤其涉及一种超晶格材料及其制备方法和应用。根据实施例的记载，本发明提供的超晶格材料同时具有亚铁石榴石材料较好的磁性能和石墨烯等二维半导体材料良好的光电吸收特性，测试得到的磁光克尔效应数据表明，本发明所述的超晶格材料在2500Oe磁场下的饱和磁光克尔角为13mdeg，相比较未插入二维材料的非超晶格亚铁磁性薄膜材料，其磁光克尔角提高了2.5倍，实现了磁光效应的增强。
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公开(公告)号：CN110373713A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910638571.0
申请日：2019-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片，以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜，其中，所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜，其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。另一方面，本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比，并未发生明显改变，仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜，为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案，在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107192989B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710443474.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微波射频技术领域，提供一种微波射频接收机,包括接收天线、微波放大电路、逆自旋霍尔异质结构检波器件、电控电磁铁、微伏电压放大电路及采样电路；微波放大电路对射频微波频段电磁波信号进行增益放大；电控电磁铁设置在可控电流控制电路中，电控电磁铁提供偏置磁场；逆自旋霍尔异质结构检波器件利用电控电磁铁提供的偏置磁场进行磁场选频，并对微波放大电路输出的微波信号进行处理；微伏电压放大电路对逆自旋霍尔异质结构检波器件产生的电压进行信号放大处理；采样电路对微伏电压放大电路输出的电压信号进行采样处理，该微波射频接收机结构简单，体积较小，不存在镜频干扰的问题，可以实现快速宽带扫描。
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公开(公告)号：CN107039395B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710302799.3
申请日：2017-05-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明属于集成电路工艺领域，提供一种集成螺线管型双层磁膜电感及其制备方法，用以进一步提升电感感值密度、降低衬底损耗。本发明包括硅衬底、下层磁芯膜、深埋层、下层线圈、绝缘层、上层磁芯膜、绝缘层及上层线圈；下层磁芯膜设置于硅衬底上，深埋层覆盖于硅衬底上、并将下层磁芯膜深埋，深埋层上表面还开设有下层线圈凹槽，下层线圈对应设置于下层线圈凹槽内；上层磁芯膜位于深埋层上，上层线圈位于上层磁芯膜上，下层线圈与上层磁芯膜之间、以及上层线圈与上层磁芯膜之间均设置绝缘层相隔离，上层线圈与下层线圈通过通孔导通；本发明采用双层磁芯膜结构，提高电感感值密度，降低线圈之间的寄生电容损耗，且制备工艺简单、制备成本低，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109686807A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811579271.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控。
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公开(公告)号：CN109686798A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811579272.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中，Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化，即Bi半金属薄膜厚度增加，复合薄膜的红外光反射强度减弱，光学吸收增强，光电效应增加，使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景；同时，该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测，可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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公开(公告)号：CN109244234A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810996579.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于平面工艺的GaAs基三维霍尔传感器，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲过渡层和第一有源层，所述第一有源层用于平行于衬底方向磁场的传感，所述衬底的材料采用半绝缘GaAs，所述缓冲过渡层的材料采用P型重掺杂GaAs,所述第一有源层的材料采用N型掺杂GaAs，所述第一有源层设有偏置输入电极、接地电极和电压输出电极。有源区和衬底材料都采用GaAs，其体积小，且可以在更宽的温度范围(0～200℃)保证磁场传感的准确性，其磁场传感的灵敏度高于现有大多数Si基或GaAs基三维霍尔传感器。
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