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公开(公告)号：CN114295576A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111486194.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种基于MXene的太赫兹波宽带屏蔽热稳定复合膜的制备方法及其检测方法，用以克服现有MXene材料难以在应用中耐受高温热氧化的缺陷；本发明包括二维MXene纳米片和提纯后的钠基膨润土(Extracted Bentonite,EB)两部分，所述MXene纳米片由MAX相刻蚀剥离得到，通过调节MXene纳米片和EB的不同配比制备太赫兹波屏蔽复合膜层，具有柔性、耐高温氧化的特点；在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的屏蔽效果可达50dB以上，即使通过高温空气氧化仍能保持良好的电磁屏蔽效果；采用机械混合后抽滤的方法制备，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114295576B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111486194.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种基于MXene的太赫兹波宽带屏蔽热稳定复合膜的制备方法及其检测方法，用以克服现有MXene材料难以在应用中耐受高温热氧化的缺陷；本发明包括二维MXene纳米片和提纯后的钠基膨润土(Extracted Bentonite,EB)两部分，所述MXene纳米片由MAX相刻蚀剥离得到，通过调节MXene纳米片和EB的不同配比制备太赫兹波屏蔽复合膜层，具有柔性、耐高温氧化的特点；在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的屏蔽效果可达50dB以上，即使通过高温空气氧化仍能保持良好的电磁屏蔽效果；采用机械混合后抽滤的方法制备，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN118087282A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410224969.0
申请日：2024-02-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁吸波材料领域，具体提供一种基于MXenes材料的多功能太赫兹吸波织布及其制备方法，用以解决MXenes吸收材料存在的吸收带宽窄、功能单一和容易氧化等问题；本发明基于基质内的纤维微结构，结合MXenes材料的电导损耗和欧姆损耗，利用水性聚氨酯(Water Polyurethane，WPU)喷涂到吸波布表面进行改性，实现多功能太赫兹吸收材料，在0.3～1.2THz的电磁波下吸收效率可达到100％，同时，水接触角和滚动角分别达到了151.3°和0°，具有良好的自清洁性能，并且在自清洁后的织物吸收性能依旧保持在99％以上，另外，具有优异的耐酸碱特性与环境适应能力。
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公开(公告)号：CN117895244A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410242705.8
申请日：2024-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁波吸收材料领域，具体提供一种基于NiZn铁氧体的P波段双层井字形金属超材料吸波器，用以解决现有吸波材料在P波段吸收带宽窄、吸收效率低及厚度大等问题。本发明基于NiZn铁氧体的电磁参数对P波段产生损耗吸收，在此基础上设计了双层井字形金属超材料结构，形成了由从下往上依次设置的底层金属板1、下层NiZn铁氧体2、中层井字形金属超材料3、上层NiZn铁氧体4与顶层井字形金属超材料5构成的金属超材料吸波器，其反射损耗低于‑10dB的吸波带宽能够完全覆盖P波段，且最小反射损耗达到了‑62.2dB，即有效提升了吸波器的吸收带宽与吸收效率；并且，具有厚度薄(6.03～8.3mm)、角度不敏感等特性。
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公开(公告)号：CN117498043B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311853713.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波技术领域，具体提供一种石墨烯多频带太赫兹功能吸波器，用以解决现有技术中吸收频段少、制备成本高、入射角度敏感等问题。本发明由若干个呈阵列排布的吸波单元结构拼接构成，吸波单元结构呈正方形结构，由介质层、设置于介质层上、下表面的石墨烯层、金属层构成；石墨烯层关于介质层上表面中心呈90°旋转对称，由位于中心的十字形结构与其末端连接的U型结构构成，十字形结构位于介质层上表面的中线上；相邻吸波单元结构拼接后，U型结构拼接构成矩形环状结构。本发明利用Fabry‑Perot干涉原理，采用三明治吸波器结构实现多个频段的完美吸收，且具有动态调控的特性，同时具有结构简单、易加工等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117498043A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311853713.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波技术领域，具体提供一种石墨烯多频带太赫兹功能吸波器，用以解决现有技术中吸收频段少、制备成本高、入射角度敏感等问题。本发明由若干个呈阵列排布的吸波单元结构拼接构成，吸波单元结构呈正方形结构，由介质层、设置于介质层上、下表面的石墨烯层、金属层构成；石墨烯层关于介质层上表面中心呈90°旋转对称，由位于中心的十字形结构与其末端连接的U型结构构成，十字形结构位于介质层上表面的中线上；相邻吸波单元结构拼接后，U型结构拼接构成矩形环状结构。本发明利用Fabry‑Perot干涉原理，采用三明治吸波器结构实现多个频段的完美吸收，且具有动态调控的特性，同时具有结构简单、易加工等优点。
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公开(公告)号：CN114686983B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111481399.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，具体是一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法，光与物质的相互作用受到介质磁性状态和材料的电子结构的影响，电磁辐射和磁极化材料之间的这种相互作用导致了“磁光”效应，磁光效应在电磁学的早期历史中发挥了重要作用，为光的电磁理论，以及电子自旋运动和自旋轨道耦合等物质的经典和量子理论提供了实验支持，本发明以钇铁石榴石作为典型的磁性材料，在微波段具有良好的透过性，但是磁光效应并不明显，使用掺杂的手段对钇铁石榴石晶体进行改性。
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公开(公告)号：CN116014453B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211326169.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器，以满足多孔吸收器需要保持干燥及自清洁能力的应用需求。本发明采用疏水处理的技术路线，首先创新的设计一种正十二面体为基本单元、周期性互连排列形成类富勒烯的笼状结构三维泡沫，其孔径形状规则、孔径尺寸均匀，使得Ti3C2Tx纳米片在包覆三维泡沫的骨架的同时、于骨架之间快速自组装为Ti3C2Tx微米薄片；然后将Ti3C2Tx微米薄片作为疏水纳米颗粒的承载平台，在三维泡沫的骨架与Ti3C2Tx微米薄片表面形成疏水涂层；最终，使得太赫兹吸波器具有超疏水表面，不仅具有极高的吸收性能，而且还具有高效的拒液、自清洁性能。
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公开(公告)号：CN115580687B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211562644.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数字图像加密技术领域，提供基于变参数超混沌系统与S形扩散的多图像加密方法，用以解决现有技术复杂度低、安全性差、实时性低等问题。本发明首先借助Alpha通道的概念，将输入灰度图像对进行重构，然后将重构图像作为初始信息输入哈希函数生成初始密钥，再将其输入变参数超混沌系统迭代生成五组混沌序列，进而对重构图像进行幻方变换，实现像素位置的变换，最后基于S形扩散实现像素数值的变化，从而得到密文图像。本发明提出变参数超混沌系统，有效地改善了传统混沌系统的低随机性、低复杂度以及混沌系统退化；同时，创造性地提出S形扩散的概念，有效的提高了密文图像的无序性及加密方法抵抗常规攻击的能力。
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公开(公告)号：CN109856821B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910240257.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。
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