公开(公告)号：CN112829200A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201911158920.5

申请日：2019-11-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  肖婷

IPC: B29C45/26 ,  B29C45/14

Abstract: 本申请涉及注塑成型技术领域，特别涉及一种注塑模具。包括：下模；所述下模包括多个侧壁，多个所述侧壁围成的空间内设有用于支撑基板的浮动板；上模，所述上模位于所述下模的上方，并与所述侧壁及所述浮动板之间形成有注塑空间；弹性组件，所述弹性组件用于为所述浮动板提供向所述上模方向的弹力。本申请中的塑模具，在弹性组件弹力的作用下，使浮动板能够与设置于该浮动板上方的基板紧密贴合时，即不影响基板的散热，不会对基板产生损坏。

公开(公告)号：CN112768413A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911002045.1

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 薛勇 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。

公开(公告)号：CN112447832A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910803935.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本发明涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件及制备方法，该半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。

公开(公告)号：CN112447821A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910824911.9

申请日：2019-09-02

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种终端结构制造方法，包括在半导体衬底表面设置场氧化层，所述场氧化层厚度范围为1微米至2微米；在所述场氧化层表面沉积氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜厚度范围为10纳米至50纳米；采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层及氧化硅薄膜进行刻蚀，根据所述场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使所述场氧化层形成斜面台阶结构；在所述斜面结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进，本方案通过在场氧化层表面设置氧化硅薄膜，根据场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使场氧化层形成斜面台阶结构，有利于终端扩散结的边缘渐变，有利于调节PN结表面的电场，提高PN结的耐压和击穿特性。

公开(公告)号：CN112397388A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201910760385.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112310226A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910691503.0

申请日：2019-07-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。

公开(公告)号：CN112242359A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201910639479.6

申请日：2019-07-16

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  陈道坤 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装结构及芯片封装方法，其中的芯片封装结构包括：芯片本体、绝缘胶膜、绝缘覆盖层和电极引出部件；其中，绝缘胶膜覆盖于芯片本体的底面，绝缘覆盖层覆盖于芯片本体顶面，绝缘胶膜和绝缘覆盖层配合以包裹芯片本体；芯片本体顶面具有电极，电极引出部件的一端与电极电连接、另一端延伸至绝缘覆盖层外。上述芯片封装结构，可以有效减少芯片封装后的体积，同时提高封装效率。

公开(公告)号：CN112086502A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201910509312.8

申请日：2019-06-13

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  吴佳蒙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种半导体功率器件的制造方法，所述半导体功率器件包括硅衬底晶圆，该方法包括：在所述硅衬底晶圆上形成元胞有源区和终端环区；在所述元胞有源区和所述终端环区上形成位于所述终端环区的正硅酸乙酯氧化层；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成位于所述元胞有源区的沟槽；在所述元胞有源区形成栅极和发射极；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成具有接触孔图形的层间介质氧化层；在所述硅衬底晶圆上依次形成金属层和钝化层。本发明在制造时在元胞有源区和终端环区同时光刻，相对于现有的采用不同光刻分别对硅衬底晶圆上的终端环区和元胞有源区进行制造的方式减少了光刻次数，从而大大的降低了成本。

公开(公告)号：CN110416200B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201910589440.8

申请日：2019-07-02

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  陈道坤 ,  肖婷

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及电子功率器件技术领域，特别涉及一种功率模块封装结构及制作方法。该功率模块封装结构包括绝缘外壳和基板组件，绝缘外壳封装于基板组件外以至少覆盖基板组件的功能结构部分；基板组件包括第一基板和第二基板；第一基板朝向第二基板的表面设置有功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片；第二基板朝向绝缘外壳的表面设置有功率因数校正驱动芯片、三相逆变驱动芯片以及自举二极管芯片，第二基板朝向第一基板的表面设置有电路层；电路层分别与功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片电性连接。在满足功能要求的基础上缩小了结构占板面积。

公开(公告)号：CN111834336A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910321865.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  陈兆同 ,  陈道坤

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。