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公开(公告)号：CN108028183B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201680054539.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C23C16/42 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
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公开(公告)号：CN114981984A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080094530.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L41/313 , H01L41/187 , H01L41/337
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于结合后热处理造成的损伤的复合基板的制造方法及通过该方法制造的复合基板。根据本发明的复合基板的制造方法是将作为钽酸锂晶圆或铌酸锂晶圆的压电晶圆与支撑晶圆结合在一起的复合基板的制造方法。该制造方法的特征在于将压电晶圆和支撑晶圆结合的步骤，以及对在结合步骤中结合的晶圆进行热处理的步骤，其中压电晶圆的非结合表面是镜面。
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公开(公告)号：CN113676147A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110494829.1
申请日：2021-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供了一种具有小损耗的用于SAW器件的压电复合基板。根据本发明的一个实施方式的用于表面声波器件的复合基板具有：压电单晶薄膜，支撑基板，以及在压电单晶薄膜和支撑基板之间的第一中间层。在所述复合基板中，第一中间层与压电单晶薄膜接触，并且第一中间层中的横波的声速比压电单晶薄膜中的快横波的声速快。
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公开(公告)号：CN112602267A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055265.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H03H9/25 , H01L41/187 , H01L41/312 , H03H3/08
Abstract: 提供了一种抑制了由于热处理工艺导致的热电性增加的复合基板。该复合基板具有：氧化物单晶薄膜，其是压电材料的单晶薄膜；支撑基板；和扩散防止层，其设置在氧化物单晶薄膜和支撑基板之间以防止氧的扩散。扩散防止层可包含氮氧化硅、氮化硅、氧化硅、氧化镁、尖晶石、氮化钛、钽、氮化钽、氮化钨、氧化铝、碳化硅、氮化钨硼、氮化钛硅和氮化钨硅中的任一种。
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公开(公告)号：CN108028183A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054539.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C23C16/42 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: C30B33/06 , C23C16/01 , C23C16/325 , C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L21/02 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02634 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636802A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033205.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
CPC classification number: H01L41/312 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/335
Abstract: 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在接合体的至少一个表面具备具有比氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序；以及以80℃以上的温度对具备保护晶片的接合体进行热处理的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN104701239B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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公开(公告)号：CN107615449A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032098.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
CPC classification number: H01L41/312 , B32B9/005 , B32B17/06 , B32B18/00 , B32B37/18 , B32B38/0036 , B32B38/10 , B32B2250/02 , B32B2260/02 , B32B2260/04 , B32B2307/20 , B32B2310/0806 , B32B2311/00 , B32B2313/00 , B32B2315/08 , B32B2457/00 , C01G33/006 , C01G35/006 , C30B29/30 , C30B31/22 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/338
Abstract: 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说，是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体照射可见光，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN104488081B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201380039471.7
申请日：2013-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/86 , H01L29/78657
Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。
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公开(公告)号：CN102246267B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN200980150180.9
申请日：2009-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供了一种制造低成本结合晶片(8)的方法，该方法能使宽带隙半导体(1)的块状晶体尽量薄地转印到处理基板(3)上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板(3)的表面上形成宽带隙半导体薄膜层(4)来制造结合晶片(8)，该方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体(1)的表面(5)注入离子来形成离子注入层(2)；对所述处理基板(3)的所述表面或所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入表面(5)中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体(1)的所述表面(5)和所述处理基板(3)的所述表面来获得结合体(6)；对所述结合体(6)进行150℃-400℃的热处理；以及从所述结合体(6)的所述半导体基板(1)侧向所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入层(2)照射可见光，以使所述离子注入层(2)的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体薄膜层(4)转印到所述处理基板(3)上。
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