公开(公告)号：CN118291930A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410397593.3

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。

公开(公告)号：CN108780817B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

公开(公告)号：CN111226307A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN106489209B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105324510B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201480035394.2

申请日：2014-06-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Bi 0.01～1.0原子％。

公开(公告)号：CN105324835B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。

公开(公告)号：CN107075614A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003374.6

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种电阻小、抗氧化性和湿法蚀刻加工性优异的Cu合金膜。上述Cu合金膜，含有Ni为3.0原子％以上且19.0原子％以下，并且含有从Al、Zn、Mn和Sn所构成的群中选择的一种X元素，余量由Cu和不可避免的杂质构成，且所述X元素的含量是由下式(1)求得的x原子％以上，并且，所述X元素为Zn或Mn时，Ni与X元素的合计量为20.0原子％以上，所述X元素为Al或Sn时，Ni与X元素的合计量为16.0原子％以上。x＝1.96×Ni+1.64…(1)其中，式(1)中，Ni表示Cu合金膜中的以原子％计的Ni含量。

公开(公告)号：CN102822945B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180016158.2

申请日：2011-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺尾泰昭 ,  森田晋也 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76867 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。

公开(公告)号：CN105324510A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035394.2

申请日：2014-06-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC classification number: H01B1/02 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  C23C14/086 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3429 ,  H01L23/53247 ,  H01L51/5218 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12896 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Zn高于2.0原子且3.5原子％以下中的至少一种。上述Ag合金膜，也可以还含有Bi 0.01～1.0原子％。

公开(公告)号：CN104681625A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。