-
公开(公告)号：CN112409028B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011171824.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CC‑NiO‑CuCoS复合材料，由CC、NiO和CuCo2S4构成；其中，CC为基体材料，微观形貌为纤维状结构，作用是提供基底使NiO纳米片不堆积和导电基底利于电子的超高速输运；NiO的微观结构为纳米片结构，负载于CC的表面，作用是提供额外赝电容；CuCo2S4的微观结构为纳米颗粒结构，附着于CC和NiO纳米片表面，作用是稳定NiO的片状结构和包覆部分裸露的CC。以CC、六水合硝酸镍、氟化铵、尿素、一水合乙酸铜、四水合乙酸钴、硫脲为起始原料，经两步水热制备而得。其制备方法包括以下步骤：1）CC的清洗与活化；2）CC‑NiO复合材料的制备；3）CC‑NiO‑CuCo2S4复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为840 F g‑1；在3000圈循环后的循环稳定性为100%。
-
公开(公告)号：CN112490018B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011425106.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料，采用两步水热法，在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构，同时通过硫化反应，二氧化硅被氢氧根刻蚀，从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来，将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞，便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤：1复合金属氧化物前驱体的制备；2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55 V范围内充电/放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能，和优良的离子传输能力。
-
公开(公告)号：CN111785526B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010522101.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料，制备NF/NiCo2S4纳米针阵列材料，再以聚吡咯为导电聚合物，通过黏结剂和固化剂，制得聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，其中，纳米针状结构具有壳‑核结构，核结构为NiCo2S4，壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤：1）NF/NiCo2O4纳米针阵列材料的制备；2）NF/NiCo2S4纳米针阵列材料的制备；3）聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为0‑0.5V，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1800‑1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序，比表面积大，利于电子的传输；采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆，有效提高电化学性能。
-
公开(公告)号：CN111799095B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010540361.0
申请日：2020-06-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种空心MXenes基金属氧化物复合材料，成分为V2CTx MXenes、还原氧化石墨烯和金属氧化物。V2CTx MXenes通过基底材料经刻蚀剂、扩层剂和离子液体处理所得；还原氧化石墨烯为中间层材料，起连接、抑制堆叠和诱导生长的作用；金属氧化物NiMoO4的形貌为花瓣褶皱状结构，提供赝电容；复合材料的微观形貌具有碳壳“包埋”的空心结构。其制备方法的关键技术为：采用非恒定离心条件和离子液体调控微观形貌。作为超级电容器的应用，在‑0.2‑0.35V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1000‑1100 F/g；在10 A/g的电流密度下经过3000次循环以后比电容性能仍可达到原来的88‑89%。且具有优异的电化学特性和化学稳定性。
-
公开(公告)号：CN113871217A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111179993.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物PBA@Co‑Ni‑S复合材料，采用室温沉淀法，形成了一种尺寸均匀的纳米立方体，之后进行静置吸附法在立方体表面负载MOF纳米片，最后以溶剂热法硫化来活化MOF纳米片来实现快速可逆的法拉第反应，从而提高EC的电化学性能。Fe‑Co‑PBA提供主要形貌，结构较稳定；后续在Fe‑Co‑PBA表面进行MOF的包覆，纳米片的形貌提高了整体材料的比表面积；之后进行硫化处理，进一步调控了外层MOF的电子结构，提高了性能。其制备方法包括以下步骤：1 Fe‑Co‑PBA的制备；2 Fe‑Co‑PBA外层负载MOF纳米片；3采用溶剂热法进行硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在‑0.1‑0.45V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1200‑1300 F/g。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490013A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011514038.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯包覆Zn‑Co‑S针簇状核壳式复合材料，由碳布、Zn‑Co‑S、聚吡咯组成，经第一次水热处理，得到具有Zn‑Co‑O修饰的碳布，再通过第二次水热处理将其硫化，得到Zn‑Co‑S修饰的碳布，最后再通过电化学沉积在Zn‑Co‑S修饰的碳布上原位生长聚吡咯壳层；其中，所述碳布的作用为作为基体材料，使Zn‑Co‑O针簇均匀分布生长；所述Zn‑Co‑S的作用是提供较高的赝电容；所述聚吡咯的作用为作为缓冲保护区域，防止层次化团簇状结构的破坏并提高材料整体的循环稳定性。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A g‑1时，比电容可以达到1000‑1500 F g‑1；在放电电流密度为8A g‑1时，在5000圈循环后的循环稳定性为100%。具有优异的电化学特性和化学稳定性。
-
公开(公告)号：CN111785526A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010522101.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料，以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料，制备NF/NiCo2S4纳米针阵列材料，再以聚吡咯为导电聚合物，通过黏结剂和固化剂，制得聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料，其中，纳米针状结构具有壳-核结构，核结构为NiCo2S4，壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤：1）NF/NiCo2O4纳米针阵列材料的制备；2）NF/NiCo2S4纳米针阵列材料的制备；3）聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为0-0.5V，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1800-1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序，比表面积大，利于电子的传输；采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆，有效提高电化学性能。
-
公开(公告)号：CN108760855B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810524155.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑聚吡咯‑金纳米粒子复合材料，采用原位化学聚合和静电吸附的相结合的方法，将金纳米粒子负载与石墨烯‑聚吡咯复合材料上。其制备方法包括以下步骤：1）溶液的配置；2）溶液的混合反应制备聚吡咯‑石墨烯米复合材料；3）金纳米粒子溶液的制备；4）金纳米粒子的吸附。石墨烯‑聚吡咯‑金纳米粒子复合材料的应用，用于阻抗型大肠杆菌生物传感器修饰电极的应用，检测大肠杆菌的线性范围为1×102~1×107 CFU/mL，最低检出限为100 CFU/mL。本发明所制备的阻抗型大肠杆菌生物传感器还具有操作简单、成本低廉、使用方便、选择性高等优点，因而在食品安全和临床分析等领域中具有巨大的潜在应用价值。
-
公开(公告)号：CN107804836B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201711081630.6
申请日：2017-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种基于生物高聚物的三维石墨烯，由生物高聚物吸附了Co离子后，再进行高温碳化后，经浓硝酸洗涤后得到，其比表面积为300‑400 m2/g，所述的生物高聚物由柿子单宁和壳聚糖制备的固化柿子单宁，采用Co离子作为催化剂，一步碳化法制备。其制备方法包括以下步骤：1）固化柿子单宁粉末的制备；2）前驱体的制备；3）三维石墨烯的制备。本发明采用一步碳化法，工艺简单，产品性能稳定，适合大批量的制备，而且后处理工艺简单，在碳功能材料领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110931271A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911346431.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物，然后与疏水性β环糊精形成包合物，并与氧化石墨烯稳定交联，最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点：5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构，为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件；采用溶剂热法和碳化法，工艺简单，环境友好；水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用，在0-0.4V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容可以达到500-1000F/g，且具有优异的电化学特性和化学稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
154
records
(took 0.144 seconds)
