一种氯化钠辅助合成氮化碳光催化剂的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113828345A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202111321445.6

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种氯化钠辅助合成g‑C3N4光催化剂的制备方法,包括如下步骤:1)称取三聚氰胺溶于去离子水中,室温下搅拌均匀,加入稀硝酸进行蚀刻,将白色沉淀用无水乙醇洗涤,然后60℃真空干燥,取出研磨充分置于坩埚中,在马弗炉中600℃保温2~4小时,记作CN;2)取不同重量比的氯化钠与CN研磨充分,再次置于马弗炉中400℃煅烧,最后用去离子水洗涤去除氯化钠并干燥,即得到氯化钠辅助合成g‑C3N4光催化剂。本发明还公开了g‑C3N4光催化剂的制备方法制得的g‑C3N4光催化剂及g‑C3N4光催化剂在罗丹明b中的应用。这种催化剂提高了氮化碳的比表面积,减少了氮化碳的电荷转移内阻,增强了其在可见光下降解罗丹明b的活性。

    一种基于第一性原理计算的MOFs储氢性能预测方法

    公开(公告)号:CN118824395A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410912366.X

    申请日:2024-07-09

    Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理计算的MOFs储氢性能预测方法,由模型构建、计算模拟和结果分析3个部分组成,模型构建部分利用MOFs标准结构、备选元素与官能团和单个氢分子结构,构建MOFs初始结构、MOFs改性结构、MOFs氢吸附结构;计算模拟部分,包含结构优化计算、静态计算和电子性质计算;结果分析部分,包含计算模拟得到的稳态结构、稳态能量和电子性质的态密度信息。具体步骤包括:1,MOFs初始结构与改性结构建立;2,MOFs初始结构与改性结构计算模拟与结果分析;3,单氢分子MOFs氢吸附结构的建立;4,MOFs@1H2结构的计算模拟与结果分析;5,多氢分子MOFs氢吸附结构的建立、计算模拟和结果分析。筛选所得改性MOFs氢吸附结构可吸附8个氢分子。

    基于非平衡分子动力学(NEMD)计算镁铝尖晶石导热性能的方法

    公开(公告)号:CN117766035A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410018749.2

    申请日:2024-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于非平衡分子动力学NEMD计算镁铝尖晶石导热性能的方法,包括:1)建立初始模型;2)用非平衡分子动力学NEMD进行热导模拟,设置初始参数;3)设置模拟的势函数;4)模型结构优化得到稳定的晶体结构;5)设置冷源、热源和传热区;6)模型在nve系综下进行弛豫;7)数据后处理。种方法能降低试错成本和时间周期、能分析尺寸效应、温度、反位缺陷、晶界因素对尖晶石热导率的影响,同时采用多种不同的热流设置方式,使模拟计算更可靠、更全面、更具有说服力,能将不同方式得到的结果与实验测量对比,能提高计算结果的准确性。

    一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用

    公开(公告)号:CN110931271A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911346431.2

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点:5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构,为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件;采用溶剂热法和碳化法,工艺简单,环境友好;水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用,在0-0.4V范围内充放电,在放电电流密度为1A/g时,比电容可以达到500-1000F/g,且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

    调控过渡金属二硼化物硼缺陷形成能的第一性原理计算方法

    公开(公告)号:CN116543850A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310494073.X

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种调控过渡金属二硼化物硼缺陷形成能的第一性原理计算方法,包括:1)选择九种3d过渡金属所对应的过渡金属二硼化物作为样本进行模型构建;2)设置模型相关的参数;3)对存在一个硼原子缺陷的过渡金属二硼化物模型进行优化的计算;4)计算9种3d过渡金属二硼化物的硼缺陷形成能;5)对硼原子进行替位掺杂;6)对存在一个硼原子缺陷的掺杂卤素原子后的过渡金属二硼化物模型优化的计算;7)计算掺杂卤素原子后的过渡金属二硼化物所对应的硼缺陷能。依据这种方法能降低硼原子脱出的反应条件,从而改善过渡金属参与的金属硼氢化物分解脱氢‑再氢化反应中的可逆性能。

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