一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112490018A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011425106.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料,采用两步水热法,在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构,同时通过硫化反应,二氧化硅被氢氧根刻蚀,从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来,将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞,便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤:1复合金属氧化物前驱体的制备;2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.55 V范围内充电/放电,在放电电流密度为1 A/g时,比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能,和优良的离子传输能力。

    一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112490018B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202011425106.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料,采用两步水热法,在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构,同时通过硫化反应,二氧化硅被氢氧根刻蚀,从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来,将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞,便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤:1复合金属氧化物前驱体的制备;2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.55 V范围内充电/放电,在放电电流密度为1 A/g时,比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能,和优良的离子传输能力。

    一种空心MXenes基金属氧化物复合材料其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111799095B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202010540361.0

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本发明公开了一种空心MXenes基金属氧化物复合材料,成分为V2CTx MXenes、还原氧化石墨烯和金属氧化物。V2CTx MXenes通过基底材料经刻蚀剂、扩层剂和离子液体处理所得;还原氧化石墨烯为中间层材料,起连接、抑制堆叠和诱导生长的作用;金属氧化物NiMoO4的形貌为花瓣褶皱状结构,提供赝电容;复合材料的微观形貌具有碳壳“包埋”的空心结构。其制备方法的关键技术为:采用非恒定离心条件和离子液体调控微观形貌。作为超级电容器的应用,在‑0.2‑0.35V范围内充放电,在放电电流密度为1 A/g时,比电容为1000‑1100 F/g;在10 A/g的电流密度下经过3000次循环以后比电容性能仍可达到原来的88‑89%。且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

    一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用

    公开(公告)号:CN110931271A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911346431.2

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点:5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构,为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件;采用溶剂热法和碳化法,工艺简单,环境友好;水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用,在0-0.4V范围内充放电,在放电电流密度为1A/g时,比电容可以达到500-1000F/g,且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

    一种SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni-Co-O纳米粒子材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115312328B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202210953742.0

    申请日:2022-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni‑Co‑O纳米粒子材料,以山竹果壳制备的多孔碳材料、Ni和Co的氧化物为主要成分,其中,所述山竹果壳经SDS处理,得到微观形貌为多孔状的碳材料,在复合材料中起金属氧化物生长基底和提高导电性的作用;Ni和Co的氧化物的成分是Co3O4和NiO,起提供赝电容的作用;所得复合材料的微观形貌为,排列紧密的纳米针状,并且,具有多孔结构。其制备方法包括:山竹果壳基多孔碳的制备与活化;山竹果壳多孔碳材料的SDS改性处理;SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni‑Co‑O纳米粒子材料的制备。作为超级电容器的应用时,在放电电流密度为1 A g‑1时,比电容为890‑900 F g‑1;5000次充放电循环的比电容保持为初始比电容的80‑81%。

    一种SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni-Co-O纳米粒子材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115312328A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210953742.0

    申请日:2022-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni‑Co‑O纳米粒子材料,以山竹果壳制备的多孔碳材料、Ni和Co的氧化物为主要成分,其中,所述山竹果壳经SDS处理,得到微观形貌为多孔状的碳材料,在复合材料中起金属氧化物生长基底和提高导电性的作用;Ni和Co的氧化物的成分是Co3O4和NiO,起提供赝电容的作用;所得复合材料的微观形貌为,排列紧密的纳米针状,并且,具有多孔结构。其制备方法包括:山竹果壳基多孔碳的制备与活化;山竹果壳多孔碳材料的SDS改性处理;SDS处理的山竹果壳基多孔碳负载Ni‑Co‑O纳米粒子材料的制备。作为超级电容器的应用时,在放电电流密度为1 A g‑1时,比电容为890‑900 F g‑1;5000次充放电循环的比电容保持为初始比电容的80‑81%。

    一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用

    公开(公告)号:CN110931271B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201911346431.2

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精‑石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点:5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构,为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件;采用溶剂热法和碳化法,工艺简单,环境友好;水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.4V范围内充放电,在放电电流密度为1A/g时,比电容可以达到500‑1000F/g,且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

    一种空心MXenes基金属氧化物复合材料其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111799095A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010540361.0

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本发明公开了一种空心MXenes基金属氧化物复合材料,成分为V2CTx MXenes、还原氧化石墨烯和金属氧化物。V2CTx MXenes通过基底材料经刻蚀剂、扩层剂和离子液体处理所得;还原氧化石墨烯为中间层材料,起连接、抑制堆叠和诱导生长的作用;金属氧化物NiMoO4的形貌为花瓣褶皱状结构,提供赝电容;复合材料的微观形貌具有碳壳“包埋”的空心结构。其制备方法的关键技术为:采用非恒定离心条件和离子液体调控微观形貌。作为超级电容器的应用,在-0.2-0.35V范围内充放电,在放电电流密度为1 A/g时,比电容为1000-1100 F/g;在10 A/g的电流密度下经过3000次循环以后比电容性能仍可达到原来的88-89%。且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

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