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公开(公告)号：CN111785526B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010522101.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料，制备NF/NiCo2S4纳米针阵列材料，再以聚吡咯为导电聚合物，通过黏结剂和固化剂，制得聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，其中，纳米针状结构具有壳‑核结构，核结构为NiCo2S4，壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤：1）NF/NiCo2O4纳米针阵列材料的制备；2）NF/NiCo2S4纳米针阵列材料的制备；3）聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为0‑0.5V，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1800‑1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序，比表面积大，利于电子的传输；采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆，有效提高电化学性能。
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公开(公告)号：CN111785526A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010522101.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料，以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料，制备NF/NiCo2S4纳米针阵列材料，再以聚吡咯为导电聚合物，通过黏结剂和固化剂，制得聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料，其中，纳米针状结构具有壳-核结构，核结构为NiCo2S4，壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤：1）NF/NiCo2O4纳米针阵列材料的制备；2）NF/NiCo2S4纳米针阵列材料的制备；3）聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为0-0.5V，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1800-1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序，比表面积大，利于电子的传输；采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆，有效提高电化学性能。
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公开(公告)号：CN110880425A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911162052.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种形貌稳定可控的核壳纳米针状复合材料，其微观结构为密集排列的纳米针结构负载在泡沫镍上，纳米针结构为壳核结构，壳核结构中，核的成分为CuCo2S4，壳的成分为CoMoO4，以Co(NO3)2·6H2O、Cu(NO3)2·3H2O、CO(NH2)2、Na2MoO4·2H2O和可溶性硫化物为起始原料，经水热反应和煅烧制得。其制备方法包括以下步骤：1）被修饰的泡沫镍的制备；2）CuCo2S4@泡沫镍的制备；3）CuCo2S4@CoMoO4@泡沫镍的制备；4）CuCo2S4@CoMoO4@泡沫镍的煅烧。作为超级电容器电极材料的应用，在0-0.4V范围内充放电，在放电电流密度为0.5A/g时，比电容为2000-2100F/g。本发明的优点包括：1、引入Cu有效控制材料形貌；2、通过控制硫化时间控制材料形貌；3、通过泡沫镍基体实现了紧密排列的核壳纳米针结构，大幅提高了材料的比电容量和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN112250068A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011021076.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/348 , C01B32/318 , H01G11/44 , H01G11/34
Abstract: 本发明公开了一种生物质桂花多孔碳材料，以桂花为原料，制备了生物质纯碳材料，再以KOH为活化剂，对生物质纯碳材料进行活化，制得孔隙均匀的生物质桂花多孔碳材料。其制备方法包括以下步骤：1）生物质纯碳材料的制备；2）多孔碳材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为‑1‑0V，在放电电流为0.5A/g时，比电容为300‑400F/g。生物质碳源具有精确的模板可用来制作具有受控和明确几何形状的电极材料；采用KOH做活化剂，通过控制其添加量可以得到理想形貌的多孔碳材料。
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