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公开(公告)号：CN112490018B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011425106.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料，采用两步水热法，在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构，同时通过硫化反应，二氧化硅被氢氧根刻蚀，从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来，将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞，便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤：1复合金属氧化物前驱体的制备；2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55 V范围内充电/放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能，和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN114672845A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210447553.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米纤维金属硫化物自支撑复合材料，以聚丙烯腈、多巴胺、乙酸钴、钼酸钠、硫代乙酰胺和丁烷四羧酸为原料，利用纤维上的羟基和1，2，3，4‑丁烷四羧酸上的羧基之间以及钴钼离子与羧基之间的异性相吸的原理，先采用预氧化和碳化结合的方法制备碳纳米纤维，再通过一步水热法，在碳纳米纤维表面生长纳米花状结构的二硫化钴和三硫化二钼。所述碳纳米纤维为骨架结构；所述二硫化钴和三硫化二钼为导电层；所述二硫化钴和三硫化二钼形成纳米片‑球簇‑包覆三级结构。作为析氢催化剂材料的应用，过电势为105.2 mV达到电流密度为10 mA cm‑2，塔菲尔斜率为152.83 mV dec‑1，电流保持率为94.53%。
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公开(公告)号：CN112844427A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110241316.X
申请日：2021-03-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/185 , B01J35/10 , B01J37/34 , B01J37/16 , C01B32/198 , C01B32/194 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种Co‑B‑P‑O纳米粒子负载还原氧化石墨烯复合材料，通过改进的Hummers的方法得到氧化石墨烯材料，然后通过化学原位还原的方法将Co‑B‑P‑O负载到还原氧化石墨烯上，得到Co‑B‑P‑O纳米粒子负载还原氧化石墨烯复合材料，其比表面积为62‑120 m2g‑1，孔径分布为12‑14 nm。其制备方法包括以下步骤：1，氧化石墨烯纳米片载体的制备；2，Co‑B‑P‑O纳米粒子负载还原氧化石墨烯复合材料的制备。作为硼氢化钠水解催化剂的应用，在298 K下提供的最大放氢速率达到9036.3 mL•min‑1g‑1，放氢量为理论值的100%，催化放氢的活化能为Ea=28.64 kJ•mol‑1；10次循环使用后仍保留了其对硼氢化钠水解初始催化活性的88.9%。本发明具有高催化性能、高循环性能、工艺简单、反应周期短的特点。
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公开(公告)号：CN112490018A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011425106.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料，采用两步水热法，在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构，同时通过硫化反应，二氧化硅被氢氧根刻蚀，从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来，将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞，便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤：1复合金属氧化物前驱体的制备；2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55 V范围内充电/放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能，和优良的离子传输能力。
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