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公开(公告)号：CN114236658B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210170247.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B5/08 , G03F1/80 , G03F1/78 , G03F7/30 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及激光光学领域，公开了一种高激光损伤阈值金刚石镜片及其制备方法，高激光损伤阈值金刚石镜片的制备方法包括以下步骤：在单晶金刚石衬底上沉积一层单晶金刚石薄膜；利用有限元方法设计微柱状结构阵列；在所述单晶金刚石薄膜上镀制一层金属膜；将所述微柱状结构阵列的顶面轮廓图案光刻到所述金属膜上，显影；对所述金属膜表面进行垂直刻蚀；对所述单晶金刚石衬底进行倾斜旋转刻蚀；去除所述微柱状结构上的金属膜。采用本申请制备方法制备得到的高激光损伤阈值金刚石镜片为全金刚石镜片，具有较高的激光损伤阈值，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN114561617A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210204583.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及溅射镀膜领域，公开了一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜的制备方法采用反应磁控溅射制备金属氧化物薄膜，其中，包括以下步骤：采用微波远程等离子体源对氧气进行活化处理，微波功率为1000‑2000W；向磁控溅射腔体内导入经过活化处理的氧气，以金属为靶材，在基底上沉积所述金属氧化物薄膜。本申请提供的金属氧化物薄膜的制备方法，基于反应磁控溅射工艺，并利用微波远程等离子体源对氧气预先进行活化处理，可以提高金属氧化物薄膜的结晶度和性能。
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公开(公告)号：CN114236658A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210170247.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B5/08 , G03F1/80 , G03F1/78 , G03F7/30 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及激光光学领域，公开了一种高激光损伤阈值金刚石镜片及其制备方法，高激光损伤阈值金刚石镜片的制备方法包括以下步骤：在单晶金刚石衬底上沉积一层单晶金刚石薄膜；利用有限元方法设计微柱状结构阵列；在所述单晶金刚石薄膜上镀制一层金属膜；将所述微柱状结构阵列的顶面轮廓图案光刻到所述金属膜上，显影；对所述金属膜表面进行垂直刻蚀；对所述单晶金刚石衬底进行倾斜旋转刻蚀；去除所述微柱状结构上的金属膜。采用本申请制备方法制备得到的高激光损伤阈值金刚石镜片为全金刚石镜片，具有较高的激光损伤阈值，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN114228181A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210170273.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容薄膜真空计的膜片预紧装置、预紧系统及预紧方法，其中，预紧装置包括：工作台，用于承托中心膜片；夹具组件，用于夹持中心膜片，多个夹具组件滑动安装在工作台上，且能沿中心膜片径向滑动；驱动组件，与工作台连接，用于驱动夹具组件相对于中心膜片同步进行径向滑动；该预紧装置能利用驱动组件同步驱动夹具组件进行相对于中心膜片中心位置的径向滑动而对中心膜片施加多个方向的径向向外的拉力，实现中心膜片的周向性张紧，不会对中心膜片施加竖直方向的剪切力，故不会产生应力集中的问题，能确保中心膜片顺利地被张紧的同时，能对中心膜片施加更强的张紧作用。
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公开(公告)号：CN111093347B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379925.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种自循环高效散热器，采用封闭式管道，无需外连冷却水进行外循环，有利于降低冷却成本，操作方便；通过采用TiO2‑水纳米流体作为冷却剂，在TiO2‑水纳米流体中，TiO2的浓度在0.2%‑0.5%范围内最佳，相较于常规散热器采用的自来水冷却剂可将换热系数提高25%左右；同时，散热基板内设有可自旋转的螺旋形旋转轴，螺旋形旋转轴的持续自旋转加强了管路内TiO2‑水纳米流体的扰动，将TiO2‑水纳米流体由层流变成紊流，将很大程度上提高散热能力，换热系数将提高50%。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112834110A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011604898.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种高精度电容薄膜真空计，包括:壳体,具有一容置腔;两个感应膜片，平行地设置在所述容置腔中，并把所述容置腔分隔为参考真空室和两个待测腔室，且两个所述待测腔室分别位于所述参考真空室的两侧；两个所述待测腔室之间连通，且均与所述参考真空室隔离；连接管，与其中一个待测腔室连通；固定基板，设在所述参考真空室中并与两个所述感应膜片平行；固定基板的两侧分别设置有导电膜，所述固定基板两侧的导电膜分别与相邻的感应膜片组成电容器；该电容薄膜真空计的测量精度和灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN111088526B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911379938.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多片装载的碳化硅外延生长设备，包括基座，设置在基座上的反应室，设置在反应室左侧的进气机构，设置在反应室右侧的出气机构，设置在反应室底部的加热线圈，可转动地设置在反应室中部的托盘架，以及用于驱动托盘架转动的驱动机构；所述托盘架包括一根竖直的旋转杆，以及多个水平地串接在旋转杆上的石墨托盘；每个石墨托盘上表面均匀设置有多个用于放置衬底的定位凹槽。该碳化硅外延生长设备可一次生产多个外延片且结构紧凑、节能环保。
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公开(公告)号：CN111020693B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN111748777A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010514554.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法，包括阴极电弧生成系统、等离子传输系统、真空镀膜腔体以及电源；阴极电弧生成系统包括电弧生成器和靶材；等离子传输系统包括变径磁过滤管道、电磁线圈以及扫描电磁线圈，电磁线圈绕设在所述变径磁过滤管道的外部，变径磁过滤管道为两头大中间小的双喇叭型。本发明通过设置在阴极电弧沉积设备中设计两头大中间小的双喇叭型的变径磁过滤管道，配合绕设在变径磁过滤管道上的电磁线圈，聚焦和偏斜电磁场可以向着基板导向等离子流，而不受电磁场影响的中性宏观粒子则继续从阴极沿着直线行进从而被过滤，通过简洁的磁过滤管道的设计，可以得到致密的均匀的阴极电弧薄膜。
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